TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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496En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET
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1.561En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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786En existencias
Min.: 1
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onsemi IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
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417En existencias
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onsemi Diodos Schottky de SiC 650V
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625En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
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1.046En existencias
Min.: 1
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Máx.: 30


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247
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266En existencias
Min.: 1
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
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440En existencias
Min.: 1
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
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348En existencias
Min.: 1
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO
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431En existencias
Min.: 1
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Máx.: 20


STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Curr High Spd
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1.250En existencias
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
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983En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
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1.043En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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428En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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660En existencias
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STMicroelectronics SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
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676En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET
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630En existencias
Min.: 1
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Máx.: 20


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
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354En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
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262En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
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468En existencias
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 140A
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303En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
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251En existencias
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
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401En existencias
Min.: 1
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WeEn Semiconductors SCR Planar Passivated SCR
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750En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
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559En existencias
Min.: 1
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