TO-247-3 Semiconductores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp 693En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH 1.036En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET 478En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le 548En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II MOSFET 298En existencias
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onsemi IGBTs 650V FS Trench IGBT Gen3 296En existencias
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Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES 650En existencias
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IXYS IGBTs TO247 3KV 32A IGBT 201En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2 639En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds 245En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 626En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A 710En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET 207En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT 196En existencias
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IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247 1.406En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 24A N-CH MOSFET 1.156En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 35A 3rd Gen, Low Noise 399En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N 1.619En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC 570En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC 60MOHM 900V 1.078En existencias
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Máx.: 20


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1.185En existencias
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Máx.: 40

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 1.142En existencias
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO 543En existencias
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Máx.: 30


Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 7 1000 V 780 mOhm TO-247 105En existencias
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Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 5 800 V 560 mOhm TO-247 142En existencias
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