TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 8 800 V 48 A TO-247 MAX
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3En existencias
Min.: 1
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Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 54 A TO-247
Hoja de datos
23En existencias
70Se espera el 25-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS 8 1000 V 7 A TO-247
Hoja de datos
86En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
Hoja de datos
27En existencias
300Se espera el 26-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1


Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
Hoja de datos
56En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology APT5020BVFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS 5 500 V 200 mOhm TO-247
Hoja de datos
858En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 8 800 V 24 A TO-247
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A
Hoja de datos
130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
Hoja de datos
56En existencias
1.020En pedido
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds
Hoja de datos
211En existencias
90Se espera el 15-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V
Hoja de datos
568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 8 800 V 12 A TO-247
Hoja de datos
58En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Rectificadores FRED D 1200 V 15 A TO-247
Hoja de datos
147En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 8 1000 V 18 A TO-247
Hoja de datos
20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 25 A TO-247
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 5 500 V 100 mOhm TO-247 MAX
Hoja de datos
27En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
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111En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 80 Amps 30V
Hoja de datos
211En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba Diodos Schottky de SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
Hoja de datos
29En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
51En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO24
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205En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X20 Amp 15 Volt
Hoja de datos
1.365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET
Hoja de datos
762En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Diodos de Conmutación de Señal Baja IGBT PRODUCTS
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899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1