Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ190ELP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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Amplificadores operacionales - Op Amps Dual Low Noise Op A 595-TLV9362IDR A 595 A 595-TLV9362IDR
NE5532PSR
Texas Instruments
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Amplificadores operacionales - Op Amps Dual Low Noise Op A 595-TLV9362IDR A 595 A 595-TLV9362IDR
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Amplificadores de transconductancia Wide Bandwidth Trans conductance A 595-O A 595-OPA860IDR
OPA860ID
Texas Instruments
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Amplificadores de transconductancia Wide Bandwidth Trans conductance A 595-O A 595-OPA860IDR
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Amplificadores operacionales - Op Amps Dual 30-V 3-MHz h ig h slew rate (13-V/ A 595-TL072HIDR
TL072CPS
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Amplificadores operacionales - Op Amps Dual 30-V 3-MHz h ig h slew rate (13-V/ A 595-TL072HIDR
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Amplificadores operacionales - Op Amps Dual Low-Noise JFET- Input A 595-TL072HI A 595-TL072HIDR
TL072CPSR
Texas Instruments
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Amplificadores operacionales - Op Amps Dual Low-Noise JFET- Input A 595-TL072HI A 595-TL072HIDR
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Transceptores LIN LIN 2.2A/SAE J2602 transceiver
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TJA1027T/20/1J
NXP Semiconductors
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NXP Semiconductors
Transceptores LIN LIN 2.2A/SAE J2602 transceiver
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 15.2A
SI4151DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 15.2A
6.927 En existencias
5.000 Se espera el 21-09-2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A
SIR122LDP-T1-RE3
Vishay
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 60V 25.8A
SIR188LDP-T1-RE3
Vishay
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 60V 25.8A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
SIR512DP-T1-RE3
Vishay
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Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 33.6A
SIR5802DP-T1-RE3
Vishay
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N.º de artículo de Mouser 78-SIR5802DP-T1-RE3
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 33.6A
5.720 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 14.3A
SI4153DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 781-SI453DY-Y1-GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 14.3A
15.867 En existencias
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$382
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Conversores CA/DC 3.5 W (85-265 VAC) CV/CC Switcher
LNK6404D-TL
Power Integrations
1:
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N.º de artículo de Mouser 869-LNK6404D-TL
Power Integrations
Conversores CA/DC 3.5 W (85-265 VAC) CV/CC Switcher
5.966 En existencias
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1
$431
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Reguladores de voltaje de conmutación 38 V, 2 A synchronous step-down converter with low quiescent current
L6982C33DR
STMicroelectronics
1:
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718 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-L6982C33DR
STMicroelectronics
Reguladores de voltaje de conmutación 38 V, 2 A synchronous step-down converter with low quiescent current
718 En existencias
1
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Amplificadores de detección de corriente High voltage, current sense amplifier with open drain comparator and ref
TSC200IYDT
STMicroelectronics
1:
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817 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-TSC200IYDT
STMicroelectronics
Amplificadores de detección de corriente High voltage, current sense amplifier with open drain comparator and ref
817 En existencias
1
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Amplificadores operacionales - Op Amps High bandwidth 8 MHz, rail-to-rail, 5 V cost-effective Op Amp
+2 imágenes
TSL6202IYST
STMicroelectronics
1:
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N.º de artículo de Mouser 511-TSL6202IYST
STMicroelectronics
Amplificadores operacionales - Op Amps High bandwidth 8 MHz, rail-to-rail, 5 V cost-effective Op Amp
4.032 En existencias
1
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Detalles
Amplificadores operacionales - Op Amps 200 mA output current 16 V dual operational amplifier
360°
+6 imágenes
TSX582IYDT
STMicroelectronics
1:
$1.977
1.104 En existencias
1.470 Se espera el 25-08-2026
N.º de artículo de Mouser 511-TSX582IYDT
STMicroelectronics
Amplificadores operacionales - Op Amps 200 mA output current 16 V dual operational amplifier
1.104 En existencias
1.470 Se espera el 25-08-2026
1
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Controladores de puertas Automotive 120V 4A h alf-bridge driver w
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UCC27301AQDDARQ1
Texas Instruments
1:
$2.692
417 En existencias
3.000 Se espera el 09-10-2026
N.º de artículo de Mouser 595-UCC27301AQDDARQ1
Texas Instruments
Controladores de puertas Automotive 120V 4A h alf-bridge driver w
417 En existencias
3.000 Se espera el 09-10-2026
1
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
XP10C150M
YAGEO XSemi
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2.958 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP10C150M
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
XP3700M
YAGEO XSemi
1:
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N.º de artículo del Fabricante
XP3700M
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 17.4 A SO-8
XP3N5R0M
YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 17.4 A SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -13 .3A SO-8
XP3P010M
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP3P010M
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -13 .3A SO-8
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$989
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Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -9. 3A SO-8
XP3P020M
YAGEO XSemi
1:
$599
1.590 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP3P020M
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -9. 3A SO-8
1.590 En existencias
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Carrete :3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8
XP3P050AM
YAGEO XSemi
1:
$484
2.845 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP3P050AM
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -5. 8A SO-8
2.845 En existencias
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$484
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$78,9
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$76,8
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Carrete :3.000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8
XP4024EM
YAGEO XSemi
1:
$831
2.550 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP4024EM
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 18.5 A SO-8
2.550 En existencias
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Carrete :3.000
Detalles
