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Resultados: 476
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V 5.432En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V 5.565En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET 5.022En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET 10.214En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V 5.821En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V 5.870En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V 5.698En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V 5.785En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET 11.453En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET 4.234En existencias
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Máx.: 6.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V 5.909En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 5.976En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V 5.867En existencias
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: 3.000


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 2.782En existencias
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: 2.500

onsemi MOSFETs de SiC M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL 1.983En existencias
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: 2.000

onsemi MOSFETs de SiC M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL 1.970En existencias
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Mult.: 1
: 2.000

Analog Devices / Maxim Integrated Controlador de la interfaz I/O IC Single-Channel 1-Wire Master 81.465En existencias
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Máx.: 10.000
: 2.500

Analog Devices / Maxim Integrated Reloj de tiempo real 5ppm, I C Real-Time Clock with SRAM 4.829En existencias
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: 2.500


Analog Devices / Maxim Integrated Interfaz con sensor Cold-Junction Compensated Thermocouple-t 2.317En existencias
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: 2.500


Analog Devices / Maxim Integrated Interfaz con sensor Cold-Junction Compensated Thermocouple-t 2.901En existencias
2.500Se espera el 08-02-2027
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Máx.: 2.000
: 2.500

Analog Devices / Maxim Integrated Interfaz con sensor Cold-Junction-Compensated K-Thermocouple-to-Digital Converter (0 C to +1024 C) 4.887En existencias
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Máx.: 600


NXP Semiconductors Reloj de tiempo real RTC IC with 400 kHz I2C interface featuring backup battery switch-over function in SO8 package. 164.915En existencias
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: 2.500


NXP Semiconductors Transceptores LIN LIN transceiver 15.136En existencias
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: 2.500

NXP Semiconductors Transceptores LIN LIN 2.1/SAE J2602/ISO17987 transceiver 3.146En existencias
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: 2.500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 1.565En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000