PDFN-8 Semiconductores

Resultados: 37
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 60V 20A 18.416En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MACOM Amplificador de RF Low Noise Amplifier, 2mm PDFN-8LD 5.734En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Alliance Memory Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Automotive, 8pin DFN(8x6), Tray 1.831En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 94En existencias
200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

Alliance Memory Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin DFN(6x5), Tray 1.987En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


MACOM Amplificador de RF Broadband LNA, 0.03-8GHz, 2mmPDFN 2.119En existencias
3.000Se espera el 09-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MACOM Amplificador de RF Broadband LNA, 0.03-8GHz, 2mmPDFN 5.645En existencias
5.000Se espera el 09-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000


MACOM Amplificador de RF Amplifier,0.5-6 GHz,2mm-8LD,1k reel 1.137En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MACOM Amplificador de RF Low Noise Amplifier,2-18GHz,2mm,3k reel 2.528En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MACOM Amplificador de RF .05-4GHz NF 2.2dBmax -40C +85C 35.090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF DC-8.0GHz ISO 29dB IL .5dB @2.0-6.0GHz 28.391En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 328En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm 4.170En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

MACOM Amplificador de RF .5-1.6GHz NF .5dB Gain=21dB 491En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm 331En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Taiwan Semiconductor GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor 2.959En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Alliance Memory Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Automotive, 8pin DFN(8x6), T&R 6.252En existencias
20.000Se espera el 01-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 55En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS 3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250


MACOM Atenuadores Attenuator,ED-PHEMT,1BT 20dB,2mmPDFN-8LD
11.970En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF DC-7.0GHz ISO 27dB IL .7dB @3.5GHz
28.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Alliance Memory Memoria flash tipo NOR Serial Memoria flash tipo NOR(Micron), 64Mb, 3V, 108Mhz, Multiple IO, Industrial HR, 8pin DFN(8x6), Tray
980Se espera el 05-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 60V 30A Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 150V 100A 7.4mOhms Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-MOS 30V 16A 5mOhms Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000