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Resultados: 456
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Vishay / BC Components Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) NTC BARE DIE AG2 20K 1% TAPE E4 100En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Qorvo Amplificador de RF 7-13GHz 1W Driver Amp 50En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Vishay / BC Components Termistores de coeficiente de temperatura negativo (NTC) NTC BARE DIE AG2 4.7K 1% TAPE E4 150En existencias
Min.: 50
Mult.: 50


CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
Qorvo TGA2578
Qorvo Amplificador de RF 2.5-6GHz 30W PAE 40% SSG27dB
10En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM MA4SW410B-1
MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 35dB IL 1.4dB @ 18GHz 100En existencias
Min.: 25
Mult.: 25

Qorvo TGS4302
Qorvo Circuitos integrados de interruptores de RF 27-46 GHz SPDT VPIN Switch 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100

MACOM MA4E931Z2-1261A
MACOM Rectificadores y diodos Schottky Diode,Schottky,ZBD,Chip 800En existencias
Min.: 100
Mult.: 100

Microchip Technology MMA042AA
Microchip Technology Amplificador de RF 2-26 GHz GaAs MMIC Distributed Self Biased LNA 100En existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Qorvo QPA2735D
Qorvo Varios inalámbricos de RF 13.75-18 GHz LNA Die 50En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Qorvo TGP2100
Qorvo Detectores de fase/ tramoyistas 30 GHz 5-Bit Phase Shifter 25En existencias
Min.: 25
Mult.: 25

Qorvo GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices 100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Micron Memoria flash tipo NAND SLC 4G 4GX1 TBGA 380En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications 100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt

CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2.139En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MACOM MA4SW410
MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 50MHz-26GHz IL .9dB @20GHz 150En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Qorvo TGL4201-06
Qorvo Atenuadores DC-50 GHz Fixed Attenuator-6dB 200En existencias
Min.: 200
Mult.: 200

Qorvo TGL4201-10
Qorvo Atenuadores DC-50 GHz Fixed Atten-10dB 200En existencias
Min.: 200
Mult.: 200

Qorvo Amplificador de RF 6-18GHz 1W driver Amp 77En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 100