2 GHz Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
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Mini-Circuits Amplificador de RF SMT Gain Block, DC - 2000 MHz, 50ohm
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30En existencias
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: 500

Skyworks Solutions, Inc. Extremo frontal RF 2GHz FEM TX/RX Gain 32/12dB 2.995En existencias
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: 3.000

Qorvo Extremo frontal RF 2.4GHz Wi-Fi 7 Medium Power Non Linear F 2.472En existencias
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: 2.500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
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166En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100/TO270/REEL
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563En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
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244En existencias
500Se espera el 12-10-2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
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111En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL
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329En existencias
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Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
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84.089En existencias
162.000Se espera el 04-11-2026
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: 3.000


onsemi Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN RF Transistor
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35.901En existencias
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Máx.: 3.000
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
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67En existencias
200Se espera el 21-12-2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
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37En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
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4.000En pedido
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
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300En pedido
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL
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636En pedido
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL
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155Se espera el 29-09-2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
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195En pedido
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30G/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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