SMD/SMT TO-252-2 Semiconductores

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO LDO BJT HiCurr 1.15V at 1A
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4.463En existencias
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Máx.: 500
: 2.500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO LDO BJT HiCurr 1.15V at 1A
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2.500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated AP2114DA-3.3TRG1
Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO 1.5MHz CMOS LDO 2.5V to 5V 600mV
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5.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
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: 2.500

Diodes Incorporated Reguladores de tensión LDO LDO BJT HiCurr
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 1
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: 2.500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 520mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 330mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 260mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 210mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 170mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm DPAK-2L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNSafe 650V 18mOhm(typ) TOLT GaN Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNSafe 650V 18mOhm(typ) TOLT GaN Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 450
Mult.: 450
: 450

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 4A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
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No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 6A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
Hoja de datos
No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 8A, 650V, TO-252-2 T&R, Industrial
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No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Littelfuse IXFY36N20X3-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-252D
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Littelfuse IXTY14N60X2-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 14A 600V X2 TO252
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Littelfuse IXTY15P15T-TRL
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT PChan-Trench Gate TO-252D
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 5A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
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Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 1200V, Automotive, SiC Schottky Diode, TO-252-2L (D-PAK-2L)
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Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

GeneSiC Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

GeneSiC Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
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No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D-PAK MOSFET
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Min.: 5.000
Mult.: 2.500
: 2.500