NVH4L015N065SC1

onsemi
863-NVH4L015N065SC1
NVH4L015N065SC1

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
TO-247-4
EliteSiC
Marca: onsemi
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Serie: NVH4L015N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
República de Corea
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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NVH4L015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

En existencias: 380

Existencias:
380 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

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