30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12VIN / 1V to 3VOUT DC-DC synchronous buck converter applications. 

Resultados: 31
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl 683.924En existencias
Cinta cortada
$431
$188
$165
$122
Envase tipo carrete
$90,4
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30.000
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.2 A 400 mOhms 20 V 1 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg 29.375En existencias
8.000Se espera el 15-10-2026
Cinta cortada
$1.977
$944
$843
$667
Ver
Envase tipo carrete
$529
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 4.5 mOhms 20 V 2.35 V 30 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2 22.500En existencias
Cinta cortada
$1.462
$679
$575
$467
Envase tipo carrete
$339
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 7.5 mOhms 20 V 2.2 V 15 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg 10.585En existencias
Cinta cortada
$1.641
$961
$759
$604
Ver
Envase tipo carrete
$548
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 3.04 mOhms 20 V 1.8 V 44 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 7.654En existencias
Cinta cortada
$1.146
$527
$466
$360
Envase tipo carrete
$278
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 50 V 3 A 130 mOhms 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 20.258En existencias
Cinta cortada
$2.619
$1.283
$1.146
$917
Ver
Envase tipo carrete
$789
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 55 V 5.1 A 65 mOhms, 65 mOhms 20 V 1 V 29 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 639En existencias
20.000En pedido
Cinta cortada
$1.346
$626
$555
$431
Envase tipo carrete
$327
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A 50 mOhms 20 V 1 V 25 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 3.449En existencias
4.000Se espera el 07-10-2026
Cinta cortada
$1.209
$561
$496
$384
Envase tipo carrete
$276
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 29 mOhms 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 4.130En existencias
Cinta cortada
$2.198
$1.062
$880
$720
$688
Envase tipo carrete
$617
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 2.6 mOhms 20 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC 27.139En existencias
Cinta cortada
$1.136
$524
$464
$358
Envase tipo carrete
$266
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 130 mOhms 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A 20.585En existencias
Cinta cortada
$1.252
$577
$512
$396
Envase tipo carrete
$286
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 3.5 A, 4.7 A 80 mOhms 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A 13.710En existencias
8.000Se espera el 10-12-2026
Cinta cortada
$1.388
$650
$576
$449
Envase tipo carrete
$346
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 4.9 A 76 mOhms 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A 15.614En existencias
Cinta cortada
$1.725
$813
$725
$569
Envase tipo carrete
$432
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 6.5 A 46 mOhms 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC 9.146En existencias
Cinta cortada
$1.809
$906
$765
$617
Ver
Envase tipo carrete
$507
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 3.7 mOhms 20 V 2.32 V 34 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg 6.930En existencias
44.000Se espera el 08-10-2026
Cinta cortada
$1.840
$876
$781
$615
Ver
Envase tipo carrete
$486
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 6.8 mOhms 20 V 1.8 V 17 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg 4.628En existencias
5.000Se espera el 20-10-2026
$2.955
$1.462
$1.315
$1.052
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 260 A 1.95 mOhms 20 V 1.9 V 86 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HEXFET Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg 92.819En existencias
84.000En pedido
Cinta cortada
$505
$223
$195
$146
Envase tipo carrete
$108
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 27 mOhms 20 V 1.3 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC 39.710En existencias
36.000En pedido
Cinta cortada
$442
$194
$169
$126
Envase tipo carrete
$93,6
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 100 mOhms 20 V 1.3 V 1 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC 7.918En existencias
8.000Se espera el 10-06-2027
Cinta cortada
$2.082
$1.029
$893
$724
Envase tipo carrete
$623
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 161 A 3.2 mOhms 20 V 2.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V 31.071En existencias
345Se espera el 08-10-2026
Cinta cortada
$1.630
$766
$680
$531
Envase tipo carrete
$398
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 8.7 mOhms 20 V 2.35 V 8.1 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A 7.600En existencias
16.000Se espera el 19-11-2026
Cinta cortada
$1.462
$680
$605
$470
Envase tipo carrete
$346
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 9.1 A, 11 A 17.1 mOhms, 11.5 mOhms 20 V 1.8 V 6.7 nC, 14 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V 343En existencias
Cinta cortada
$1.167
$538
$477
$368
Envase tipo carrete
$264
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT DSO-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 8.1 A, 8.4 A 22 mOhms, 28 mOhms 20 V 2.7 V 8.9 nC, 7.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A 1.031En existencias
4.000Se espera el 05-11-2026
Cinta cortada
$1.609
$894
$659
$516
Ver
Envase tipo carrete
$357
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 100 mOhms 20 V 1 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A 1.968En existencias
8.000En pedido
Cinta cortada
$1.493
$696
$618
$482
Envase tipo carrete
$360
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.3 A, 7.3 A 46 mOhms 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC 434En existencias
36.000En pedido
Cinta cortada
$1.357
$651
$588
$477
Ver
Envase tipo carrete
$377
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4.000
: 4.000
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 35 mOhms 20 V 1 V 61 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel