Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 14

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3 SPB21N50C3 Infineon Technologies 1: $5.594 1.394En existencias	N.º de artículo del Fabricante SPB21N50C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPB21N50C3	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1.394En existencias	Cinta cortada $5.594 $2.894 $2.609 $2.279 Envase tipo carrete $2.051 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	21 A	190 mOhms	20 V	3.9 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 SPW47N65C3 Infineon Technologies 1: $17.704 247En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPW47N65C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW47N65C3 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3	Hoja de datos	247En existencias	$17.704 $13.489 $10.333 $10.071 $9.479	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	47 A	70 mOhms	20 V	2.1 V	255 nC	- 55 C	+ 150 C	415 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 SPW47N60C3 Infineon Technologies 1: $15.608 8.247En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW47N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW47N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	8.247En existencias	$15.608 $8.704 $8.283	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	47 A	70 mOhms	20 V	2.1 V	252 nC	- 55 C	+ 150 C	415 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 SPB11N60C3 Infineon Technologies 1: $4.910 995En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPB11N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPB11N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	995En existencias	Cinta cortada $4.910 $2.700 $2.461 $2.108 Envase tipo carrete $1.982 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	380 mOhms	20 V	2.1 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3 SPB20N60C3 Infineon Technologies 1: $5.298 2.640En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPB20N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPB20N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	2.640En existencias	Cinta cortada $5.298 $2.723 $2.472 $2.119 Envase tipo carrete $1.994 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	20.7 A	190 mOhms	20 V	2.1 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 SPW20N60C3 Infineon Technologies 1: $6.881 1.695En existencias 3.120Se espera el 03-12-2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW20N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW20N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1.695En existencias 3.120Se espera el 03-12-2026	$6.881 $3.634 $3.258 $3.008 Ver $2.848 $2.734 $2.655	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20.7 A	190 mOhms	20 V	2.1 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA20N60C3 Infineon Technologies 1: $6.004 499En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPA20N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPA20N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	499En existencias	$6.004 $3.156 $2.860 $2.222 $2.153	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20.7 A	190 mOhms	20 V	2.1 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	34.5 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3 SPW16N50C3 Infineon Technologies 1: $5.514 160En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW16N50C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW16N50C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3	Hoja de datos	160En existencias	$5.514 $2.882 $2.210	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	16 A	280 mOhms	20 V	3.9 V	66 nC	- 55 C	+ 150 C	160 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 SPW32N50C3 Infineon Technologies 1: $11.233 193En existencias 5.280En pedido	N.º de artículo del Fabricante SPW32N50C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW32N50C3	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	193En existencias 5.280En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SPW32N50C3 Existencias: 193 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3.120 Se espera el 17-12-2026 2.160 Se espera el 24-12-2026 Plazo de entrega de fábrica: 10 Semanas	$11.233 $6.050 $5.594 $5.389	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	500 V	32 A	110 mOhms	20 V	2.1 V	170 nC	- 55 C	+ 150 C	284 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3 SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies 1: $6.198 369En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante SPP20N65C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP20N65C3XKSA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3	Hoja de datos	369En existencias	$6.198 $3.236 $2.939 $2.814 Ver $2.609 $2.518 $2.472	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	20.7 A	160 mOhms	20 V	3.9 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 SPW35N60C3 Infineon Technologies 1: $12.452 116En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW35N60C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPW35N60C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	116En existencias	$12.452 $8.795 $7.337 $6.528 $6.095	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	34.6 A	100 mOhms	20 V	2.1 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	313 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1: $5.298 808En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante SPP20N60C3XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPP20N60C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	808En existencias	$5.298 $2.723 $2.472 $2.028 $1.994	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	20.7 A	190 mOhms	20 V	2.1 V	87 nC	- 55 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies 1: $12.361 Plazo de entrega 8 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante SPW35N60C3FKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-SPW35N60C3FKSA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	Plazo de entrega 8 Semanas	$12.361 $6.722 $6.220 $6.186	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	34.6 A	81 mOhms	20 V	2.1 V	200 nC	- 55 C	+ 150 C	313 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA11N65C3 Infineon Technologies 1: $3.896 Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante SPA11N65C3 N.º de artículo de Mouser 726-SPA11N65C3 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas	$3.896 $1.948 $1.766 $1.390 Ver $1.333 $1.310	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	380 mOhms	20 V	3.9 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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