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FFSH30120A-F155

Name: onsemi FFSH30120A-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH30120A-F155
Price: 17763 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FFSH30120A-F155

Fabricante N.º:

FFSH30120A-F155

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL

Hoja de datos:

FFSH30120A-F155 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	30 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.45 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	230 A
Ir - Corriente inversa:	200 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSH30120A-F155
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	500 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FFSH10120A-F155 Silicon Carbide (SiC) Diodes

onsemi FFSH10120A-F155 Silicon Carbide (SiC) Diodes provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi FFSH10120A-F155 features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.