Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 14

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D6N04XMT1G onsemi 1: $4.079 121En existencias 10.500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D6N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D6N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	121En existencias 10.500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D6N04XMT1G Existencias: 121 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1.500 Se espera el 10-11-2027 9.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $4.079 $2.655 $1.857 $1.549 $1.447 Envase tipo carrete $1.447 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.500 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	380 A	570 uOhms	20 V	3.5 V	86.4 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS2D1N08XT1G onsemi 1: $4.158 10.476En existencias 37.500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS2D1N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS2D1N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	10.476En existencias 37.500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS2D1N08XT1G Existencias: 10.476 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 16.500 Se espera el 16-06-2027 21.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada $4.158 $2.700 $1.891 $1.584 $1.470 Envase tipo carrete $1.390	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.500 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	201 A	1.9 mOhms	20 V	3.6 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	164 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE NTMFS0D9N04XLT1G onsemi 1: $4.284 1.186En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D9N04XLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D9N04XLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	1.186En existencias	Cinta cortada $4.284 $2.791 $2.028 $1.698 $1.584 Envase tipo carrete $1.481 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	278 A	900 uOhms	20 V	2.2 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS0D9N04XMT1G onsemi 1: $3.555 1.853En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D9N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D9N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	1.853En existencias	Cinta cortada $3.555 $2.290 $1.572 $1.276 Envase tipo carrete $1.139 Ver $1.185 $1.110	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	273 A	900 uOhms	20 V	3.5 V	61 nC	- 55 C	+ 175 C	121 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D5N04XMT1G onsemi 1: $4.318 110En existencias 27.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D5N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D5N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	110En existencias 27.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D5N04XMT1G Existencias: 110 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 16.500 Se espera el 29-09-2027 10.500 Se espera el 03-11-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $4.318 $2.814 $2.051 $1.720 $1.595 Envase tipo carrete $1.595	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4.500 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	414 A	520 uOhms	20 V	3.5 V	97.5 nC	- 55 C	+ 175 C	163 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D5N04XLT1G onsemi 1: $5.970 45En existencias 1.500Se espera el 27-10-2027	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D5N04XLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D5N04XLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	45En existencias 1.500Se espera el 27-10-2027	Cinta cortada $5.970 $3.908 $2.917 $2.438 $2.267 Envase tipo carrete $2.267	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	455 A	490 uOhms	20 V	2.2 V	127 nC	- 55 C	+ 175 C	194 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE NTMFS0D7N04XLT1G onsemi 1: $3.828 5En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D7N04XLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D7N04XLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	5En existencias	Cinta cortada $3.828 $2.484 $1.709 $1.424 $1.322 Envase tipo carrete $1.322	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	349 A	700 uOhms	20 V	2.2 V	96 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS1D1N04XMT1G onsemi 1: $2.985 9En existencias 3.000Se espera el 23-10-2026	N.º de artículo del Fabricante NTMFS1D1N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS1D1N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	9En existencias 3.000Se espera el 23-10-2026	Cinta cortada $2.985 $1.914 $1.299 $1.107 $980 Envase tipo carrete $980	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	233 A	1.05 mOhms	20 V	3.5 V	49.1 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS1D3N04XMT1G onsemi 1: $2.677 16En existencias 9.000Se espera el 29-03-2028	N.º de artículo del Fabricante NTMFS1D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS1D3N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	16En existencias 9.000Se espera el 29-03-2028	Cinta cortada $2.677 $1.698 $1.139 $930 $833 Envase tipo carrete $833	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	195 A	1.3 mOhms	20 V	3.5 V	38.5 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS2D3N04XMT1G onsemi 1: $2.165 62En existencias 4.500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS2D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS2D3N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	62En existencias 4.500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS2D3N04XMT1G Existencias: 62 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1.500 Se espera el 15-11-2027 3.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.165 $1.356 $897 $711 $632 Envase tipo carrete $632	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	111 A	2.35 mOhms	20 V	3.5 V	22.1 nC	- 55 C	+ 175 C	53 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS3D1N04XMT1G onsemi 1: $2.244 95En existencias 6.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D1N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D1N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	95En existencias 6.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS3D1N04XMT1G Existencias: 95 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3.000 Se espera el 15-12-2026 3.000 Se espera el 05-11-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.244 $1.390 $915 $719 $614 Envase tipo carrete $614	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	83 A	3.1 mOhms	20 V	3.5 V	15.6 nC	- 55 C	+ 175 C	39 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D4N04XMT1G onsemi 1: $4.899 5.907En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D4N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D4N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	5.907En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D4N04XMT1G Existencias: 0 En pedido: 4.407 Se espera el 12-04-2027 1.500 Se espera el 19-04-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $4.899 $3.213 $2.392 $2.005 $1.857 Envase tipo carrete $1.857	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.500 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	509 A	420 uOhms	20 V	3.5 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS2D5N08XT1G onsemi 1: $3.714 12.003En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS2D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS2D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi ntbls0d8n08x mosfet	Hoja de datos	12.003En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS2D5N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 3 Se espera el 24-11-2026 4.500 Se espera el 15-01-2027 3.000 Se espera el 19-03-2027 4.500 Se espera el 09-07-2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada $3.714 $2.404 $1.663 $1.379 $1.287 Envase tipo carrete $1.287	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.500 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	181 A	2.1 mOhms	20 V	3.6 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS3D5N08XT1G onsemi 1: $2.825 5.747En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	5.747En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS3D5N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 2.747 Se espera el 07-05-2027 3.000 Se espera el 28-05-2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada $2.825 $1.811 $1.230 $1.048 $927 Envase tipo carrete $927 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.500 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	135 A	3 mOhms	20 V	3.6 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	119 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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