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USB-C Chargers & Adapters

Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPW60R099P7XKSA1
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IPZA60R037P7XKSA1
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IRL100HS121
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IRL80HS120
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IPAN60R180P7SXKSA1
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IPA040N06NXKSA1
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IPA060N06NXKSA1
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IPA60R160P7XKSA1
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IPA60R600P7XKSA1
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IPB057N06NATMA1
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IPB60R080P7ATMA1
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IPD80R2K0P7ATMA1
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1: $1.588
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IPD80R2K0P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

IPI029N06NAKSA1
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1: $3.239
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IPI029N06NAKSA1

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IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.065
70En existencias
960Se espera el 01-09-2026

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IPW60R045P7XKSA1

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726-IPW60R045P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB032N10N5ATMA1
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1: $4.522
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IPB032N10N5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC014N04LSATMA1
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1: $1.956
5.547En existencias
5.000Se espera el 17-08-2027

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BSC014N04LSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC019N04LSATMA1
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1: $1.798
342En existencias
15.000Se espera el 22-07-2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N04LSATMA1

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726-BSC019N04LSATMA1

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$752

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC026N04LSATMA1
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1: $1.651
33En existencias
35.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC026N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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33En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC034N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.009
156En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
BSC034N06NSATMA1

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726-BSC034N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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156En existencias

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$832

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.704
5En existencias
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BSC039N06NSATMA1

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726-BSC039N06NSATMA1

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$1.704

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$734

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$389

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: 5.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.934
177En existencias
15.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC040N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC040N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8

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$2.934

$1.462

$1.283

Envase tipo carrete

$1.283

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: 5.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

BSC070N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.945
117En existencias
25.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC070N10LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC070N10LS5ATM1

Infineon Technologies

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117En existencias

25.000En pedido

Cinta cortada

$2.945

$1.704

$1.304

$1.052

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Envase tipo carrete

$927

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Mult.: 1

: 5.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC094N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.146
2.350En existencias
10.000Se espera el 17-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC094N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC094N06LS5ATMA

Infineon Technologies

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$457

$362

Envase tipo carrete

$362

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