EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3 MOSFETs are housed in highly efficient and space-saving LFPAK56 packages. These MOSFETs are Avalanche-rated. The NextPowerS3 MOSFETs support a maximum junction temperature of +175°C. These MOSFETs are EU RoHS-compliant. The NextPowerS3 MOSFETs feature a peak soldering temperature of +260°C and a -55°C to +175°C storage temperature range. Typical applications include DC-to-DC converters and brushless DC motor control.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.401En existencias
$2.383
$1.153
$1.029
$818
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.533En existencias
$2.097
$1.001
$895
$707
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R2-40YSB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.893En existencias
$2.097
$1.001
$895
$707
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R5-40YLB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.838En existencias
$1.757
$832
$741
$581
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.908En existencias
$1.757
$832
$741
$581
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.425En existencias
$1.713
$806
$717
$561
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R5-40YSB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
981En existencias
$1.548
$725
$644
$503
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
445En existencias
$2.361
$1.504
$1.015
$810
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement