Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low R_DS(on) per area coupled with a fast-recovery diode. The device implements innovative super-junction MDmesh DM9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.

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Resultados: 8

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET STP60N043DM9 STMicroelectronics 1: $12.659 894En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP60N043DM9 N.º de artículo de Mouser 511-STP60N043DM9	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp60n043dm9 mosfet	Hoja de datos	894En existencias	$12.659 $7.082 $6.544 $6.456	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	56 A	43 mOhms	30 V	4.5 V	78.6 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package ST8L65N050DM9 STMicroelectronics 1: $9.157 63En existencias 3.000Se espera el 13-11-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ST8L65N050DM9 N.º de artículo de Mouser 511-ST8L65N050DM9 Nuevo producto	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm mdmesh m9 power mosfets	Hoja de datos	63En existencias 3.000Se espera el 13-11-2026	Cinta cortada $9.157 $4.963 $4.557 $4.458 Envase tipo carrete $4.161 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-4	N-Channel	1 Channel	650 V	55 A	35 mOhms	30 V	4.5 V	107 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package ST8L65N065DM9 STMicroelectronics 1: $7.609 201En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ST8L65N065DM9 N.º de artículo de Mouser 511-ST8L65N065DM9 Nuevo producto	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm mdmesh m9 power mosfets	Hoja de datos	201En existencias	Cinta cortada $7.609 $5.095 $4.095 $3.645 $3.448 Envase tipo carrete $3.217 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-4	N-Channel	1 Channel	650 V	44 A	65 mOhms	30 V	4.5 V	78 nC	- 55 C	+ 150 C	223 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET ST8L65N044M9 STMicroelectronics 1: $9.377 2.744En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ST8L65N044M9 N.º de artículo de Mouser 511-ST8L65N044M9 Nuevo producto	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp60n043dm9 mosfet	Hoja de datos	2.744En existencias	Cinta cortada $9.377 $5.204 $4.787 $4.655 $4.161 Envase tipo carrete $4.161 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5	N-Channel	1 Channel	650 V	58 A	44 mOhms	30 V	4.2 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	166 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET ST8L60N065DM9 STMicroelectronics 1: $7.741 145En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ST8L60N065DM9 N.º de artículo de Mouser 511-ST8L60N065DM9 Nuevo producto	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp60n043dm9 mosfet	Hoja de datos	145En existencias	Cinta cortada $7.741 $4.128 $3.777 $3.568 $3.481 Envase tipo carrete $3.371 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerFLAT-5	N-Channel		600 V	39 A	65 mOhms	30 V	4.5 V	66 nC	- 55 C	+ 150 C	202 W	Enhancement		MDmesh	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET STWA60N043DM9 STMicroelectronics 1: $14.219 49En existencias	N.º de artículo del Fabricante STWA60N043DM9 N.º de artículo de Mouser 511-STWA60N043DM9	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp60n043dm9 mosfet	Hoja de datos	49En existencias	$14.219 $8.059 $7.466 $7.323	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	56 A	43 mOhms	30 V	4.5 V	78.6 nC	- 55 C	+ 150 C	312 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET STH60N099DM9-2AG STMicroelectronics 1: $7.433 1.801En pedido	N.º de artículo del Fabricante STH60N099DM9-2AG N.º de artículo de Mouser 511-STH60N099DM9-2AG	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp60n043dm9 mosfet	Hoja de datos	1.801En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STH60N099DM9-2AG Existencias: 0 En pedido: 801 Se espera el 24-09-2027 1.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	Cinta cortada $7.433 $4.688 $3.689 $3.382 Envase tipo carrete $2.866 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	H2PAK-2	N-Channel	1 Channel	600 V	27 A	99 mOhms	30 V	4.5 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	179 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package STMicroelectronics STO60N045DM9 STO60N045DM9 STMicroelectronics 1: $13.944 1.800Se espera el 16-10-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante STO60N045DM9 N.º de artículo de Mouser 511-STO60N045DM9 Nuevo producto	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm mdmesh m9 power mosfets	Hoja de datos	1.800Se espera el 16-10-2026	Cinta cortada $13.944 $7.872 $7.741 $6.324 Envase tipo carrete $6.324	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800																		Reel, Cut Tape

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