IntelliFET Self-Protected MOSFETs

Diodes Inc. IntelliFET Self-Protected MOSFETs integrate a power MOSFET with a complete array of protection circuits. These protections guard against ESD, over-current, over-voltage and over-temperature conditions. Intelligent MOSFETs sense potentially catastrophic conditions and protects themselves and the connected loads. These protection functions improve overall system reliability. Additional features like status flags provide diagnostic capabilities that aid isolation and rectification faults within a vehicle.

Resultados: 18
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh
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5.009En existencias
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Diodes Incorporated Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 60V self-protected low-side MOSFET SW
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35.546En existencias
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Máx.: 2.000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel self protected
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115.974En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 1.8A 210mJ
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4.203En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.3A 480mJ
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10.605En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 200mohm 2A 490mJ
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8.401En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Mosfet 100mOhm 2.8A 210mJ
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3.091En existencias
2.000Se espera el 04-11-2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN
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1.415En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet
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228En existencias
34.000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH INTELLIFET 100mOhm 2.8A 480mJ
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323En existencias
14.000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ
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402En existencias
132.000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
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554En existencias
45.000Se espera el 15-09-2027
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: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-CH. Low Side MOSFET
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214En existencias
40.000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.2A 210mJ
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2.217En existencias
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: 1.000

Diodes Incorporated Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación Self-Protect 60V Sw
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111.692En pedido
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Máx.: 2.000
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
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167.025En pedido
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Máx.: 7.500
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET SOT223 T&R 2.5K
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8.148En pedido
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: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low Side IntelliFET
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Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500