Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE020N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.042 3.936En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE020N04LM6CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	3.936En existencias	Cinta cortada $3.042 $1.492 $1.344 $1.073 Ver Envase tipo carrete $939 $1.050 $1.019 $939	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	166 A	2.05 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance IQE020N04LM6CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.327 4.704En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE020N04LM6CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE020N04LM6CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	4.704En existencias	Cinta cortada $3.327 $1.652 $1.481 $1.196 Ver Envase tipo carrete $922 $1.124 $1.086 $922	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WTFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	166 A	2.05 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ018N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.415 33.819En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ018N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ018N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	33.819En existencias	Cinta cortada $2.415 $1.253 $1.115 $887 Ver Envase tipo carrete $746 $856 $826 $746 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	2.1 mOhms	20 V	2.3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.358 28.297En existencias 5.000Se espera el 03-12-2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ024N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ024N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	28.297En existencias 5.000Se espera el 03-12-2026	Cinta cortada $2.358 $1.129 $1.009 $799 Ver Envase tipo carrete $612 $713 $652 $612 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	2.8 mOhms	20 V	2.3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.803 203En existencias 30.000Se espera el 08-04-2027	N.º de artículo del Fabricante BSC010N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	203En existencias 30.000Se espera el 08-04-2027	Cinta cortada $2.803 $1.504 $1.219 $975 Ver Envase tipo carrete $817 $931 $876 $817 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1 mOhms	20 V	1.3 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC059N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.242 738En existencias 50.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC059N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC059N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	738En existencias 50.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC059N04LS6ATMA1 Existencias: 738 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 30.000 Se espera el 05-11-2026 20.000 Se espera el 29-07-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.242 $754 $531 $383 Ver Envase tipo carrete $238 $347 $328 $238 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	59 A	5.9 mOhms	20 V	1.3 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC007N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.412 38.763En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC007N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC007N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	38.763En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC007N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 13.763 Se espera el 07-01-2027 25.000 Se espera el 08-04-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $5.412 $3.543 $2.643 $2.210 Ver Envase tipo carrete $1.925 $2.051 $1.925 $1.925 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	381 A	700 uOhms	20 V	1.3 V	94 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.811 339.761En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC022N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC022N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	339.761En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC022N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 109.761 Se espera el 30-12-2026 70.000 Se espera el 18-02-2027 160.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.811 $848 $754 $590 Envase tipo carrete $465 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 7.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.2 mOhms	20 V	1.3 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	79 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.435 159.714En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ063N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ063N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	159.714En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ063N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 44.714 Se espera el 08-04-2027 25.000 Se espera el 06-05-2027 90.000 Se espera el 24-06-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.435 $706 $586 $457 $451 Envase tipo carrete $343 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	7 mOhms	20 V	2.3 V	9.5 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSZ021N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.324 14.976En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ021N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ021N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	14.976En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ021N04LS6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4.976 Se espera el 22-07-2027 10.000 Se espera el 26-08-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.324 $1.118 $1.000 $880 $817 Envase tipo carrete $670 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	2.4 mOhms	20 V	2.3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel

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