QPD0007TR13

Qorvo
772-QPD0007TR13
QPD0007TR13

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 3.4-3.8GHz 15W 50V GaN Single Channel

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Marca: Qorvo
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD0007
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Alias de las piezas n.º: QPD0007
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Atributos seleccionados: 0

Product Overview

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Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541497080
ECCN:
5A991.b
Clasificaciones de origen
País de origen:
Malasia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

QPD0007 GaN RF Transistors

Qorvo QPD0007 GaN RF Transistors are single-path discrete GaN on SiC high-electron-mobility transistors (HEMTs) in a DFN package. These Qorvo RF transistors are single-stage, unmatched transistors capable of delivering a P3dB output power of 20W at +48V operation. The QPD0007 transistors operate in the DC to 5GHz frequency range and offer 73% drain efficiency at 3.5GHz. Typical applications include WCDMA/LTE, macrocell base station, microcell base station, general-purpose, small cell, active antenna, and 5G massive MIMO.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 2500   Múltiples: 2500
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$14.156 $35.390.000

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
QPD0007SR
Embalaje:
Reel, Cut Tape
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$24.210
Mín.:
1

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