Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Chile

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Resultados: 4

Filtros aplicados:

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK TK100S04N1L,LQ Toshiba 1: $4.117 3.603En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK100S04N1L,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1LLQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	3.603En existencias	Cinta cortada $4.117 $2.075 $1.878 $1.537 $1.526 Envase tipo carrete $1.438 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1.9 mOhms	20 V	2.5 V	76 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK TK55S10N1,LQ Toshiba 1: $4.293 1.517En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK55S10N1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	1.517En existencias	Cinta cortada $4.293 $2.174 $1.965 $1.614 Envase tipo carrete $1.515 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	55 A	5.5 mOhms	20 V	4 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: $2.284 190En existencias 2.000Se espera el 13-11-2026	N.º de artículo del Fabricante TJ60S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	190En existencias 2.000Se espera el 13-11-2026	Cinta cortada $2.284 $1.109 $985 $781 $746 Envase tipo carrete $643 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	60 A	6.3 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	125 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 2.000: $580 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TJ80S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Envase tipo carrete $580 $578	Min.: 2.000 Mult.: 2.000 : 2.000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	80 A	5.2 mOhms						100 W		AEC-Q100	U-MOSVI	Reel