Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.133 8.613En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC90N10S5N062ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC90N10S5N062A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	8.613En existencias	Cinta cortada $3.133 $1.595 $1.333 $1.122 Ver Envase tipo carrete $944 $1.068 $982 $944 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	90 A	6.2 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.005 8.262En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N04S6L020ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N04S6L020	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 20v 40v n channel auto mosfet	Hoja de datos	8.262En existencias	Cinta cortada $2.005 $951 $624 $529 Envase tipo carrete $529 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.26 mOhms	16 V	1.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IPG20N04S418AATMA1 Infineon Technologies 1: $2.301 1.470En existencias 5.000Se espera el 03-06-2027	N.º de artículo del Fabricante IPG20N04S418AATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N04S418AATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 20v 40v n channel auto mosfet	Hoja de datos	1.470En existencias 5.000Se espera el 03-06-2027	Cinta cortada $2.301 $1.424 $935 $735 Envase tipo carrete $496 Ver $629 $570 $483 $473	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	20 A	18 mOhms	20 V	3 V	8.7 nC	- 55 C	+ 175 C	26 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.475 15.050En existencias 20.000Se espera el 19-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N08S5N031ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N08S5N031	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	15.050En existencias 20.000Se espera el 19-11-2026	Cinta cortada $3.475 $1.948 $1.504 $1.219 Ver Envase tipo carrete $1.041 $1.173 $1.151 $1.041 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	3.5 mOhms	20 V	2.2 V	76 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.553 1.584En existencias 14.000Se espera el 11-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IAUT300N10S5N015ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUT300N10S5N015	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	1.584En existencias 14.000Se espera el 11-02-2027	Cinta cortada $7.553 $3.987 $3.646 $3.338 $3.030 Envase tipo carrete $2.974 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	100 V	300 A	1.5 mOhms	20 V	2.2 V	166 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.504 7.915En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUZ20N08S5L300ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ20N08S5L300A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	7.915En existencias	Cinta cortada $1.504 $702 $622 $484 Envase tipo carrete $360 Ver $474 $450 $354	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	20 A	30 mOhms	20 V	2 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	30 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon Technologies 1: $7.553 3.237En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS300N08S5N014TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-US300N08S5N014T1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	3.237En existencias	Cinta cortada $7.553 $4.010 $3.668 $3.406 $3.224 Envase tipo carrete $3.224	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	80 V	300 A	1.4 mOhms	20 V	3.8 V	144 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.709 392En existencias 20.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IAUC41N06S5L100ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC41N06S5L100A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	392En existencias 20.000En pedido	Cinta cortada $1.709 $801 $712 $557 Ver Envase tipo carrete $418 $554 $527 $418 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8-3	N-Channel	1 Channel	60 V	41 A	10 mOhms	16 V	1.7 V	12.7 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.480 766En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS200N08S5N023ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUS200N08S5N023	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	766En existencias	Cinta cortada $5.480 $2.825 $2.563 $2.392 $2.085 Envase tipo carrete $2.085	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	80 V	200 A	3.7 mOhms	20 V	2.2 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape

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