Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Chile

Saltar al contenido principal

Parte de la familia de especialistas de TTIContactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301Comentarios

Cambiar ubicación

+52 33 3612 7301 Cambiar ubicación

En existencia

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 6

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB IRFB7540PBF Infineon Technologies 1: $2.313 6.738En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IRFB7540PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7540PBF Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB	Hoja de datos	6.738En existencias	$2.313 $1.115 $935 $794 Ver $719 $698	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	110 A	4.2 mOhms	20 V	3.7 V	88 nC	- 55 C	+ 175 C	160 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.525 1.238En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS7534TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7534TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	1.238En existencias	Cinta cortada $5.525 $3.612 $2.700 $2.256 Envase tipo carrete $2.096 $1.971 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	195 A	2 mOhms	20 V	3.7 V	186 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB IRFB7545PBF Infineon Technologies 1: $2.529 47.685En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB7545PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	47.685En existencias	$2.529 $1.230 $1.093 $869 Ver $792 $785 $778	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	95 A	4.9 mOhms	20 V	3.7 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies 1: $3.976 1.609En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS7537TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7537TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 173A D2PAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	1.609En existencias	Cinta cortada $3.976 $1.994 $1.800 $1.390 Envase tipo carrete $1.356 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800			Si	SMD/SMT	TO-263AB-3	N-Channel	1 Channel	60 V	173 A	3.3 mOhms	20 V	3.7 V	142 nC	- 55 C	+ 175 C	230 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies 1: $3.110 643En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IRFS7540TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS7540TRLPBF Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A D2PAK	Hoja de datos	643En existencias	Cinta cortada $3.110 $2.017 $1.390 $1.173 Envase tipo carrete $1.093 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	110 A	4.2 mOhms	20 V	3.7 V	88 nC	- 55 C	+ 175 C	160 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB IRFB7546PBF Infineon Technologies 1: $1.777 1.304En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IRFB7546PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7546PBF Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB	Hoja de datos	1.304En existencias	$1.777 $837 $745 $584 Ver $583 $547 $485 $469 $448	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	75 A	6 mOhms	20 V	3.7 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	99 W	Enhancement	StrongIRFET	Tube