IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs

IXYS IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs are avalanche-rated, N-channel enhancement-mode MOSFETs with a 200V drain-source breakdown voltage. The IXYS IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs come in a TO-220 (IXTP) or TO-263 (IXTA) package and offer 86A or 94A continuous drain current.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
2.004En existencias
$18.103
$10.459
$10.048
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
719En existencias
$19.926
$13.432
$11.279
$10.891
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Hoja de datos
1.147En existencias
$14.925
$8.283
$8.271
$8.191
$7.929
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Hoja de datos
503En existencias
$12.862
$7.177
$6.619
$6.528
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
620Se espera el 07-06-2027
$20.872
$14.161
$11.040
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
450Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
$10.299
$10.185
Min.: 300
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube