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GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 12589 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-GAN041-650WSBQ

Fabricante N.º:

GAN041-650WSBQ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Hoja de datos:

GAN041-650WSBQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$12.589	$12.589
	$11.053	$110.530
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	$7.856	$3.928.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 30)
	$11.053	$331.590

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	SOT-429-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	47.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	187 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de las piezas n.º:	934661752127
Peso de la unidad:	123 mg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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FET de nitruro de galio (GaN) GAN041-650WSB

El FET de nitruro de galio (GaN) GAN041-650WSB de Nexperia ofrece un voltaje de drenaje de fuente de 650 V, una corriente de drenaje nominal de 47.2 A y una resistencia máxima de 41 m Ω. El GAN041 se presenta en un encapsulado TO-247 y es un dispositivo normalmente apagado que combina la tecnología HEMT H2 de GaN de alto voltaje y las tecnologías MOSFET de silicio de bajo voltaje. La combinación de estas tecnologías ofrece confiabilidad y rendimiento superiores. El FET GaN GAN041-650WSB de Nexperia es ideal para PFC de tótem sin puente, accionamientos de servomotores y convertidores de conmutación dura y suave para alimentación industrial y de comunicaciones de datos.