GAN041-650WSBQ

Nexperia
771-GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSBQ

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Nexperia
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Through Hole
SOT-429-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47.2 A
41 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.5 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
GaN
Marca: Nexperia
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 10 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: 934661752127
Peso de la unidad: 123 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Application Notes

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FET de nitruro de galio (GaN) GAN041-650WSB

El FET de nitruro de galio (GaN) GAN041-650WSB   de Nexperia ofrece un voltaje de drenaje de fuente de 650 V, una corriente de drenaje nominal de 47.2 A y una resistencia máxima de 41 m Ω. El GAN041 se presenta en un encapsulado TO-247 y es un dispositivo normalmente apagado que combina la tecnología HEMT H2 de GaN de alto voltaje y las tecnologías MOSFET de silicio de bajo voltaje. La combinación de estas tecnologías ofrece confiabilidad y rendimiento superiores. El FET GaN GAN041-650WSB   de Nexperia es ideal para PFC de tótem sin puente, accionamientos de servomotores y convertidores de conmutación dura y suave para alimentación industrial y de comunicaciones de datos.

GaN FETs for Industrial Applications

Nexperia GaN FETs for Industrial Applications offer efficient power use and efficiencies in power conversion and control. For some applications, power conversion efficiency and power density are critical for market adoption. Prime examples include high-voltage communications and industrial infrastructure sectors. GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system costs.

En existencias: 49

Existencias:
49
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
300
Se espera el 16-11-2026
Plazo de entrega de fábrica:
4
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$13.637 $13.637
$10.003 $100.030
$8.545 $854.500
$8.294 $4.147.000
$7.952 $7.952.000
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$10.003 $300.090

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