GaN FETs – Mouser Chile

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

Filtros aplicados:

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Tecnología
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: $4.443 4.511En existencias	N.º de artículo del Fabricante IGLR65R140D2XUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLR65R140D2XUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	4.511En existencias	Cinta cortada $4.443 $2.256 $2.039 $1.675 $1.606 Envase tipo carrete $1.356	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: $3.270 4.815En existencias	N.º de artículo del Fabricante IGLR65R200D2XUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLR65R200D2XUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	4.815En existencias	Cinta cortada $3.270 $1.618 $1.458 $1.173 Ver Envase tipo carrete $916 $1.128 $1.107 $916	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: $2.848 4.699En existencias	N.º de artículo del Fabricante IGLR65R270D2XUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLR65R270D2XUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	4.699En existencias	Cinta cortada $2.848 $1.390 $1.185 $988 Envase tipo carrete $776 Ver $930 $906 $742	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies 1: $12.190 1.547En existencias 1.800Se espera el 17-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R035D2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R035D2ATMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	1.547En existencias 1.800Se espera el 17-12-2026	Cinta cortada $12.190 $6.767 $6.426 $5.252 Envase tipo carrete $5.241	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.012 798En existencias 1.800Se espera el 07-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R045D2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R045D2ATMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	798En existencias 1.800Se espera el 07-12-2026	Cinta cortada $9.012 $5.309 $4.876 $4.762 $3.919 Envase tipo carrete $3.908 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	38 A	54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W		GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.685 1.163En existencias	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R110D2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R110D2ATMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	1.163En existencias	Cinta cortada $5.685 $3.327 $2.780 $2.336 Envase tipo carrete $1.811 Ver $2.165 $1.754	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	15 A	140 mOhms	- 10 V	1.6 V	3.4 nC	- 40 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: $15.289 556En existencias 800Se espera el 07-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IGOT65R025D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGOT65R025D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	556En existencias 800Se espera el 07-12-2026	Cinta cortada $15.289 $10.185 $9.433 $8.180 Envase tipo carrete $6.858	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	61 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies 1: $12.566 453En existencias 800Se espera el 30-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IGOT65R035D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGOT65R035D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	453En existencias 800Se espera el 30-11-2026	Cinta cortada $12.566 $6.995 $6.676 $5.457 Envase tipo carrete $5.446	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies 1: $10.060 1.228En existencias	N.º de artículo del Fabricante IGOT65R045D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGOT65R045D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	1.228En existencias	Cinta cortada $10.060 $5.480 $4.910 Envase tipo carrete $4.341 $4.067	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies 1: $8.396 573En existencias	N.º de artículo del Fabricante IGOT65R055D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGOT65R055D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	573En existencias	Cinta cortada $8.396 $4.500 $4.124 $3.315 Envase tipo carrete $3.201	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: $14.537 23.329En pedido	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R025D2AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R025D2AUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	23.329En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IGLT65R025D2AUMA1 Existencias: 0 En pedido: 3.529 Se espera el 26-11-2026 19.800 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 18 Semanas	Cinta cortada $14.537 $8.214 $8.089 $6.608 Envase tipo carrete $6.596 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	67 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	219 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.328 5.400En pedido	N.º de artículo del Fabricante IGLT65R055D2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IGLT65R055D2ATMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Hoja de datos	5.400En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IGLT65R055D2ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 3.600 Se espera el 24-12-2026 1.800 Se espera el 23-04-2027 Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	Cinta cortada $8.328 $4.614 $4.227 $3.987 $3.087 Envase tipo carrete $3.087 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Compartir esto

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Filtros aplicados: