CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

Resultados: 12
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Tecnología
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.815En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
4.699En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.663En existencias
1.800Se espera el 28-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
977En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
1.282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
602En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
2.068En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
9.060En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Hoja de datos
3.596En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN