600V CoolMOS™ S7A Power MOSFETs

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ S7A Power MOSFETs are superjunction MOSFETs that address xEV applications where MOSFETs are switched at low frequency. These MOSFETs' design offers a cost-optimized, 10mΩ low on-resistance RDS(on), enabling increased power density and minimized conduction losses. The S7A MOSFETs are automotive-grade AEC-Q101 devices that meet the highest automotive quality. These MOSFETs with top-side cooled QDPAK, and bottom-side cooled QDPAK packages offer increased efficiency and controllability. The 600V MOSFETs are used in HV eFuse, HV eDisconnect, and onboard chargers.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor
Hoja de datos
636En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 174 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 318 nC - 40 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor
Hoja de datos
750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 174 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 318 nC - 40 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
209En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 196 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
177En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 196 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
57En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 318 nC - 40 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 40 C + 150 C 416 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement CoolMOS Reel