TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs (DTMOSIV) exhibit the chip design of DTMOSIV generation and come in different variants. The Si N-channel MOSFETs feature low drain-source on-resistance and fast reverse recovery time. These MOSFETs can easily control gate switching. The TK16x60W MOSFETs are available in different dimensions and come in other packages, including DFN8x8, TO-247, TO-3P(N), D2PAK, TO-220, and TO-220SIS. These Toshiba TK16x60W Si N-Channel MOSFETs are used in switching voltage regulators.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8x8-OS PD=139W F=1MHZ
Hoja de datos
2.487En existencias
Cinta cortada
$4.910
$2.563
Envase tipo carrete
$1.800
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
Hoja de datos
222En existencias
250Se espera el 13-11-2026
$4.956
$2.586
$2.392
$1.834
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Hoja de datos
148En existencias
200Se espera el 19-02-2027
$4.774
$2.438
$2.358
$1.777
$1.732
Min.: 1
Mult.: 1
Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Hoja de datos
57En existencias
$3.976
$1.994
$1.789
$1.447
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
73En existencias
$7.314
$4.261
$3.862
$3.486
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Hoja de datos
74En existencias
$7.348
$4.808
$3.543
$3.144
$2.791
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Hoja de datos
5En existencias
$5.309
$2.655
$2.404
$2.028
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
Hoja de datos
966Se espera el 12-03-2027
Cinta cortada
$4.819
$2.461
$2.233
$1.903
Envase tipo carrete
$1.754
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Hoja de datos
999Se espera el 16-11-2026
Cinta cortada
$5.263
$2.734
$2.472
$2.096
Envase tipo carrete
$1.971
$1.857
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Hoja de datos
No en existencias
$7.303
$4.785
$3.520
$3.122
$2.780
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Envase tipo carrete
$1.549
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel