Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.358 2.927En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC008N06LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC008N06LM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	2.927En existencias	Cinta cortada $5.358 $2.767 $2.514 $2.174 $2.097 Envase tipo carrete $2.053	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	378 A	800 uOhms	20 V	2.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC025N06LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.184 4.204En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC025N06LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N06LM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4.204En existencias	Cinta cortada $3.184 $1.570 $1.416 $1.142 Ver Envase tipo carrete $1.012 $1.109 $1.079 $1.012	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	143 A	2.5 mOhms	20 V	2.3 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISZ023N06LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.273 3.672En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISZ023N06LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ023N06LM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	3.672En existencias	Cinta cortada $2.273 $1.537 $1.296 $1.241 Envase tipo carrete $1.197 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	149 A	2.3 mOhms	20 V	2.3 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISZ072N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.680 4.341En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISZ072N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ072N06NM6ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4.341En existencias	Cinta cortada $1.680 $794 $706 $552 $538 Envase tipo carrete $416	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	57 A	7.2 mOhms	20 V	3.3 V	12.3 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V ISC007N06LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.905 4.023En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC007N06LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC007N06LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4.023En existencias	Cinta cortada $7.905 $4.227 $3.876 $3.667 $3.470 Envase tipo carrete $3.470	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V ISC007N06NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.488 5.000Se espera el 22-10-2026	N.º de artículo del Fabricante ISC007N06NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC007N06NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	5.000Se espera el 22-10-2026	Cinta cortada $7.488 $4.557 $3.854 $3.502 $3.404 Envase tipo carrete $3.206	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si															OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V ISC009N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies 1: $6.676 4.000Se espera el 10-12-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC009N06NM6SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC009N06NM6SCAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 60v mosfets	Hoja de datos	4.000Se espera el 10-12-2026	Cinta cortada $6.676 $4.480 $3.502 $3.217 $2.997 Envase tipo carrete $2.997	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	PG-WSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	344 A	900 uOhms	20 V	3.3 V	121 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

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