Dual N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs feature low drain-source on-state resistance, minimizing conductive losses. The devices enable a low gate charge for fast switching. Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs are ideal for BLDC motor control, battery power management, and DC-DC converter applications.

Resultados: 8
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 2 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2.610En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 2 Channel 40 V 37 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.964En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 2 Channel 40 V 38 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2.011En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 2 Channel 60 V 29 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2.827En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 2 Channel 40 V 48 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.631En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 2 Channel 60 V 25 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 24A, Dual N-Channel Power MOSFET
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1.940En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
1.804En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 2 Channel 40 V 48 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel