U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
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3.968En existencias
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 66 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 16.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package
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63En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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1.219En existencias
27.000Se espera el 11-09-2026
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Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 1.5 A, 1.6 A 247 mOhms, 430 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 300 mV, 350 mV 7.5 nC, 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=0.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4.5V
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230En existencias
3.000Se espera el 11-09-2026
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Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 500 mA 145 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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2.240En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms, 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 285 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V
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1.825En existencias
4.000Se espera el 08-01-2027
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: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.25A 20V -10V
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3.035En existencias
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: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm @ 4V, in UF6 package
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212En existencias
12.000En pedido
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: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 122 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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6.316En existencias
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: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 20 V 330 mA 3.6 Ohms - 8 V, 8 V 300 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+/-8V, ID=-1.5A, RDS(ON)=0.213Ohm @ 4V, in UF6 package
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2.711En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 213 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.5A VDSS=-30V
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8En existencias
33.000Se espera el 28-08-2026
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Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V, 30 V 500 mA 120 mOhms, 210 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV, 1.1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2-in-1
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58.870En pedido
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: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 330 mA, 500 mA 460 mOhms, 950 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 1.23 nC, 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
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30.000Se espera el 16-10-2026
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Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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16.423Se espera el 08-01-2027
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=20V
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3.000Se espera el 28-08-2026
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: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 N-Channel 2 Channel 20 V 1.6 A 87 mOhms, 87 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 7.5 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=20V
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No en existencias
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: 4.000

Si SMD/SMT ES-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=1.9A, RDS(ON)=0.133Ohm a. 4.0V, in ES6 package
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No en existencias
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: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.9 A 133 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SS FET 2 N-Ch 0.1A 30V 5.4 Ohm
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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape