CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor


Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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1.212En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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617En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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: 1.000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
368En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
616En existencias
240En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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721En existencias
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
4.390En existencias
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
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603En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
333En existencias
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
594En existencias
2.160En pedido
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
571En existencias
720En pedido
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
260En existencias
480Se espera el 29-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
480Se espera el 08-10-2026
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
20En existencias
2.640En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
492En existencias
720En pedido
Min.: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
142En existencias
240Se espera el 29-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
472En existencias
240Se espera el 19-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
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197En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
2.160En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
1.169En pedido
Min.: 1
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Máx.: 240

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
2.877En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
1.440En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
960Se espera el 16-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel