BUKx Automotive MOSFETs

Nexperia BUKx Automotive MOSFETs are logic-level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. Designed and qualified to meet AEC-Q101 standards, the Nexperia BUKx MOSFETs are ideal for demanding automotive applications, including 12V systems, motor control, and start-stop micro-hybrid systems. The MOSFETs offer excellent thermal performance with a maximum operating temperature of +175°C, making the devices suitable for thermally challenging environments.

Resultados: 86
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK963R3-60E/SOT404/D2PAK
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4.564En existencias
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Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.73 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 95 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y12-100E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
4.717En existencias
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Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 9.5 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 64 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y14-80E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
10.514En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 12.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-60E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
4.446En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y21-40E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
6.758En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 17 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 7 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
14.612En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 25 A 25.8 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 5 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R8-60E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2.144En existencias
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Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.3 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 50 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y72-80E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
6.789En existencias
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Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 15 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R2-60E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
4.823En existencias
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Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 5.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R5-80E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
3.583En existencias
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Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 8 mOhms - 10 V, 10 V 1.4 V 54.7 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK964R2-80E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
662En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 4.2 mOhms - 10 V, 10 V 1.7 V 123 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K12-80L/SOT1205/LFPAK56D
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927En existencias
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Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 2 Channel 80 V 51 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 66 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
1.493En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 2 Channel 100 V 23 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 16.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K25-40E/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
746En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 27 A 21.25 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K52-60E/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
917En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 2 Channel 60 V 15.4 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9.2 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K5R1-30E/SOT1205/LFPAK56D
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884En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.34 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 31.1 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K5R6-30E/SOT1205/LFPAK56D
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1.336En existencias
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Min.: 1
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: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.76 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y12-40E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
620En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y14-80E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
1.349En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 65 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 44.8 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y15-60E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
79En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25.41 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y153-100E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2.065En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 37.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y21-40E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
98En existencias
1.500Se espera el 10-08-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y25-60E/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
153En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 15.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.1 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y43-60E/SOT669/LFPAK
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1.963En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 29.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y4R4-40E/SOT669/LFPAK
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1.481En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel