RF7x Automotive Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RF7x Automotive Power MOSFETs (comprising the RF7G, RF7L, and RF7P variants) are high-performance Silicon Carbide (SiC) devices designed for demanding power applications. These MOSFETs feature a 1200V voltage rating, making the ROHM RF7x MOSFETs ideal for high-voltage environments such as automotive inverters, onboard chargers, and industrial power systems. The RF7G series offers balanced characteristics suitable for general-purpose use, while the RF7L series is optimized for low conduction losses, enhancing efficiency in continuous operation scenarios like battery management and energy storage. The RF7P series excels in high-speed switching, making it well-suited for applications requiring rapid response, such as telecom equipment and LED lighting. Across all variants, key features include low ON-resistance, fast switching performance, high reliability, and compact packaging, enabling efficient and robust power conversion in both automotive and industrial sectors.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
Hoja de datos
6.021En existencias
Cinta cortada
$1.834
$867
$773
$607
Envase tipo carrete
$485
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 31 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
Hoja de datos
684En existencias
6.000Se espera el 05-10-2026
Cinta cortada
$2.207
$1.039
$922
$725
$610
Envase tipo carrete
$486
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 18.5 mOhms 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A
Hoja de datos
2.480En existencias
Cinta cortada
$1.823
$863
$770
$604
Envase tipo carrete
$483
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 19 mOhms 4 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 60V 12A
Hoja de datos
2.752En existencias
Cinta cortada
$1.779
$843
$751
$590
Envase tipo carrete
$470
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 12A
Hoja de datos
2.586En existencias
3.000Se espera el 25-01-2027
Cinta cortada
$2.273
$1.405
$922
$725
Envase tipo carrete
$484
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 12A
Hoja de datos
2.975En existencias
Cinta cortada
$1.834
$865
$772
$606
Envase tipo carrete
$513
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 12A N-CH
Hoja de datos
1.505En existencias
3.000Se espera el 17-06-2027
Cinta cortada
$1.845
$872
$777
$610
Envase tipo carrete
$489
Ver
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 P-CH 40V 12A
Hoja de datos
194En existencias
9.000En pedido
Cinta cortada
$2.163
$1.340
$879
$691
$591
Envase tipo carrete
$536
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 61 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel