TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.

Resultados: 64
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 26A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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9.865En existencias
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Min.: 1
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: 5.000

Si SMD/SMT PDFN33 N-Channel 1 Channel 60 V 26 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 22A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
9.880En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PDFN33 N-Channel 1 Channel 60 V 22 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.972En existencias
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Min.: 1
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: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 214 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 64 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.992En existencias
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Min.: 1
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: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.980En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 174 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.960En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.9 V 63.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 0.17A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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16.928En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 328 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
12.612En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
36.709En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
17.645En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-3 N-Channel 1 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
16.769En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 316 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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7.189En existencias
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 370 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 416 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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17.220En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-3 N-Channel 1 Channel 60 V 330 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 337 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.16A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
16.941En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 160 mA 7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
2.588En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 60 V 104 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 40A, Dual N-Channel Power MOSFET
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898En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 7.6 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 10.7 nC - 55 C + 175 C 46.8 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V MOSFET 15 MOhms
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2.461En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 2 Channel 40 V 39 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
18.000Se espera el 28-10-2026
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Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 3 Ohms 20 V 2.5 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 806 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.19A, Single P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
18.000Se espera el 25-11-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 190 mA 7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 403 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V, -0.17A, Dual P-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
18.000Se espera el 26-08-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-3 P-Channel 1 Channel 60 V 170 mA 7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.9 nC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 59 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.9 V 63.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 4.3 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Non-Logic Level, RDS (max) 4.8V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DFN56U-8 N-Channel 1 Channel 100 V 146 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 25 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 33 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.3 nC - 55 C + 175 C 78.9 W Enhancement AEC-Q101 PerFET Reel