1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved Eon, ERR, and Eoff losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low RDS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.

Resultados: 16
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 25m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
310En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,36m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Hoja de datos
546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 340 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
308En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,36m,1200V, TSC (U2), Industrial
Hoja de datos
800Se espera el 23-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 357 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,25m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Hoja de datos
800Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 25m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Hoja de datos
450Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,25m,1200V, TSC (U2), Industrial
Hoja de datos
800Se espera el 18-06-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 455 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 36m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Hoja de datos
450Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 36m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
450Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,47m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Hoja de datos
800Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 280 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Hoja de datos
450Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 47m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
450Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,47m,1200V, TSC (U2), Industrial
Hoja de datos
800Se espera el 15-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,65m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Hoja de datos
800Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 40 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 211 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET,65m,1200V, TSC (U2), Industrial
Hoja de datos
800Se espera el 18-06-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 42 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 215 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Hoja de datos
450Se espera el 23-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement