Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Tipos de Transistores

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Resultados: 101
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MOQ=1000 V=50 PD=1W F=1MHZ 17En existencias
2.000En pedido
Min.: 1
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: 1.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-62-3 PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) X35 Pb-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD; MOQ=2000; PC=1W; F=100KHZ 840En existencias
2.000Se espera el 16-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT 2-7J1A-3 PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TRANS-SS PNP 3SMD 50V 2.817En existencias
3.000Se espera el 23-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TRANS-SS PNP 3SMD 20V 354En existencias
3.000Se espera el 09-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq. Amplification 12.968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq. Amplification 29.174En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz 2.359En existencias
21.000Se espera el 04-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TRANS-SS NPN SOT323 120V 10.513En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz 886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq. Amplification 5.767En existencias
27.000Se espera el 16-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TRANS-SS NPN 3SMD 50V 3.407En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 8.893En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 1.832En existencias
6.000Se espera el 01-01-2027
Min.: 1
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: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package 10.473En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 3.547En existencias
6.000Se espera el 09-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 7.572En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package 2.902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A 481En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BJT NPN 0.15A 50V 5.885En existencias
9.000Se espera el 06-11-2026
Min.: 1
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: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BJT PNP -0.15A -50V 3.742En existencias
9.000Se espera el 22-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq. Amplification 6.853En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor for Low Freq. Amplification 7.303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans 261En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP

Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE 2.040En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V Trans 4.289En existencias
20.750En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-126N-3 PNP