Solar Inverters & Battery Energy Storage Systems

Littelfuse Solar Inverters and Battery Energy Storage Systems (BESS) can operate in both AC and DC coupled solar systems. The AC coupled solar system features two inverters, offering higher flexibility and easier installation. DC coupled solar systems have a single inverter and provide higher efficiency because the shorter cables between BESS and PV reduce losses. Littelfuse Solar Inverters and BESS components include TVS diodes, MOSFETs, IGBT drivers, fuses, relays, and more.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1.5kW 24V AEC-Q101 5% Uni-Directional
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2.918En existencias
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Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1.5kW 91V AEC-Q101 5% Uni-Directional
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3.014En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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225En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
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620En existencias
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IXYS Módulos MOSFET MBLOC 300V 210A N-CH X3CLASS
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501En existencias
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IXYS Módulos MOSFET MBLOC 200V 160A N-CH X3CLASS
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531En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
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1.694En existencias
1.140Se espera el 28-12-2026
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Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1.5kW 22V AEC-Q101 5% Bi-Directional
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11.850En existencias
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Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1.5kW 27V AEC-Q101 5% Bi-Directional
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5.183En existencias
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Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1.5kW 33V AEC-Q101 5% Bi-Directional
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4.810En existencias
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Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1.5kW 36V AEC-Q101 5% Bi-Directional
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8.104En existencias
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Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1.5kW 51V AEC-Q101 5% Bi-Directional
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6.004En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 26A N-CH X3CLASS
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4.152En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 38A N-CH X3CLASS
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707En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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472En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
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254En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
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772En existencias
420Se espera el 01-09-2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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314En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 90A N-CH X3CLASS
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511En existencias
420Se espera el 10-08-2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
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388En existencias
2.325En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
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181En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
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1.249En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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352En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 300V 100A N-CH X3CLASS
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295En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 200V 220A N-CH X3CLASS
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397En existencias
240Se espera el 29-12-2026
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