Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

40 A

960 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

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$836

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

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$2.103

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$1.840

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

789 A

290 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

333 W

Enhancement

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1: $2.976
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Mult.: 1

: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

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BSC0504NSIATMA1
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Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

72 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

11.1 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

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BSZ019N03LSATMA1
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BSZ019N03LSATMA1

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$643

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

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BSZ065N03LSATMA1
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Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

49 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

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BSZ0904NSIATMA1
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$340

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IQE008N03LM5ATMA1
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N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5ATMA

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$3.954

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$1.809

$1.514

$1.409

Envase tipo carrete

$1.325

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5CGATMA1
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1: $3.008
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$1.083

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$948

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IQDH35N03LM5CGATMA1
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1: $5.290
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$3.471

$2.587

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

700 A

350 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1
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1: $4.533
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IQE006NE2LM5CGSCATMA1

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726-IQE006NE2LM5CGSC

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$4.533

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SMD/SMT

WHTFN-9

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25 V

47 A

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BSC011N03LSATMA1
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1: $2.640
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BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.693
47.193En pedido

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BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

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$1.043

$688

$541

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$351

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: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

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IQE012N03LM5CGSCATMA1
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1: $3.187
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IQE012N03LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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6.000Se espera el 17-12-2026

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$3.187

$2.061

$1.409

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WHTFN-9

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30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

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