Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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Infineon Technologies
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OptiMOS

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1
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47 A

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
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IQDH29NE2LM5CGATMA1

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQDH35N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQDH35N03LM5CGATMA1

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726-IQDH35N03LM5CGAT

Infineon Technologies

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14.819Se espera el 02-09-2027

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20 V

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91 nC

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.303
56.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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$2.303

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$994

$792

$790

Envase tipo carrete

$658

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

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2 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.693
47.193En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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47.193En pedido

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$1.693

$817

$608

$488

$473

Envase tipo carrete

$354

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

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+ 150 C

27 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm

BSG0812NDATMA1
Infineon Technologies
1: $3.407
4.997Se espera el 01-07-2027

N.º de artículo del Fabricante
BSG0812NDATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSG0812NDATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm

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4.997Se espera el 01-07-2027

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$3.407

$1.956

$1.535

$1.273

$1.241

Envase tipo carrete

$1.125

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

25 V

50 A

900 mOhms, 3.5 mOhms

16 V

2 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

6.25 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

IQE012N03LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.260
6.000Se espera el 28-01-2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE012N03LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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6.000Se espera el 28-01-2027

Cinta cortada

$3.260

$1.651

$1.451

$1.178

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Envase tipo carrete

$873

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Mult.: 1

: 6.000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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