Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) TRENCHSTOP de 600 V y 1200 V

Los IGBT TRENCHSTOP™ de 600 V y 1200 V de Infineon combinan celda superior de trinchera y conectores de concepto de parada de campo para mejorar enormemente el rendimiento estático y dinámico. Una combinación de IGBT con un diodo de recuperación suave controlado por emisor minimiza aún más las pérdidas de desbloqueo. Un equilibrio entre las pérdidas de conmutación y conducción permite una alta eficiencia.
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
1.890En pedido
$3.600
$2.165
$1.561
$1.299
$1.185
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
1.200Se espera el 30-11-2026
$4.523
$2.620
$2.142
$1.789
$1.618
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
$4.158
$2.279
$1.857
$1.424
$1.356
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 67 A 246 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube