RH7G04CBJFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7G04CBJFRATCB
RH7G04CBJFRATCB

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
P-Channel
1 Channel
40 V
40 A
17.7 mOhms
- 20 V, 5 V
2.5 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
62 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 33 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 13 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 16 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 115 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En existencias: 6.000

Existencias:
6.000 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.324 $2.324
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$755 $755.000
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