Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

SSM6K341NU,LF
Toshiba
1: $862
544.504En existencias

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SSM6K341NU,LF

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757-SSM6K341NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V

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$533

$344

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: 3.000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

60 V

6 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K514NU,LF
Toshiba
1: $1.031
5.081En existencias

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SSM6K514NU,LF

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757-SSM6K514NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Cinta cortada

$1.031

$653

$421

$316

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$237

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: 3.000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM6K361NU,LF
Toshiba
1: $968
64.500En existencias
105.000Se espera el 28-08-2026

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SSM6K361NU,LF

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757-SSM6K361NULF

Toshiba

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105.000Se espera el 28-08-2026

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$968

$688

$428

$296

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$215

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: 3.000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.5 A

51 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVIII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS

SSM3K333R,LF
Toshiba
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SSM3K333R,LF

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757-SSM3K333RLF

Toshiba

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$334

$212

$160

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: 3.000

N-Channel

1 Channel

AEC-Q100

U-MOSVII-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V

SSM3K345R,LF
Toshiba
1: $526
29.023En existencias
27.000Se espera el 24-07-2026

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SSM3K345R,LF

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757-SSM3K345RLF

Toshiba

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$526

$322

$204

$154

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$111

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23F-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4 A

25 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

3.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

SSM6J507NU,LF
Toshiba
1: $989
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SSM6J507NU,LF

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757-SSM6J507NULF

Toshiba

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$989

$713

$444

$306

Envase tipo carrete

$230

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

20 mOhms

- 25 V, 20 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM6N67NU,LF
Toshiba
1: $1.230
53.621En existencias
48.000Se espera el 04-12-2026

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SSM6N67NU,LF

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757-SSM6N67NULF

Toshiba

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$852

$540

$333

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$212

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

2 Channel

30 V

4 A

39.1 mOhms

- 8 V, 12 V

400 mV

3.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: $484
2.469En existencias
3.000Se espera el 04-12-2026

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SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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$297

$187

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K513NU,LF
Toshiba
1: $999
1.151En existencias
39.000Se espera el 24-07-2026

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SSM6K513NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K513NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1.151En existencias

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Cinta cortada

$999

$714

$445

$307

Envase tipo carrete

$223

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch

SSM6J511NU,LF
Toshiba
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20.000Se espera el 27-07-2026

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SSM6J511NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J511NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch

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UDFN-6

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1 Channel

12 V

14 A

6.5 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

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