Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low R_ON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V SSM6K341NU,LF Toshiba 1: $934 518.841En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K341NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K341NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	518.841En existencias	Cinta cortada $934 $423 $373 $284 Envase tipo carrete $212 Ver $265 $201 $187 $181 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	N-Channel	1 Channel	60 V	6 A	28 mOhms	20 V	1.5 V	9.3 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement		U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS SSM3K333R,LF Toshiba 1: $592 55.354En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3K333R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K333RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 6A 20V VGSS Obtenga más información sobre Toshiba ssm3k333r	Hoja de datos	55.354En existencias	Cinta cortada $592 $263 $230 $173 Envase tipo carrete $130 Ver $112 $95,7 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si			N-Channel	1 Channel											AEC-Q100	U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V SSM3K345R,LF Toshiba 1: $570 44.868En existencias 3.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM3K345R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K345RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V Obtenga más información sobre Toshiba ssm3 mosfet	Hoja de datos	44.868En existencias 3.000En pedido	Cinta cortada $570 $253 $221 $166 Envase tipo carrete $123 Ver $165 $115 $103 $90 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	N-Channel	1 Channel	20 V	4 A	25 mOhms	8 V	400 mV	3.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SSM6K513NU,LF Toshiba 1: $991 38.183En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K513NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K513NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Toshiba u mosix h mosfets	Hoja de datos	38.183En existencias	Cinta cortada $991 $448 $395 $301 Envase tipo carrete $231 Ver $289 $215 $195 $181 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	N-Channel	1 Channel	30 V	15 A	6.5 mOhms	20 V	1.1 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		U-MOSIX-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V SSM6N67NU,LF Toshiba 1: $797 42.715En existencias 66.000Se espera el 21-12-2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6N67NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N67NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii h mosfets	Hoja de datos	42.715En existencias 66.000Se espera el 21-12-2026	Cinta cortada $797 $361 $318 $240 Envase tipo carrete $183 Ver $159 $149 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	N-Channel	2 Channel	30 V	4 A	39.1 mOhms	- 8 V, 12 V	400 mV	3.2 nC	- 55 C	+ 150 C	1 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A SSM3J378R,LF Toshiba 1: $524 4.979En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM3J378R,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J378RLF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	4.979En existencias	Cinta cortada $524 $321 $203 $152 Envase tipo carrete $113 Ver $136 $103 $86,6 $82 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-23F-3	P-Channel	1 Channel	20 V	6 A	29.8 mOhms	- 8 V, 6 V	1 V	12.8 nC		+ 150 C	2 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A SSM6J507NU,LF Toshiba 1: $934 701En existencias 69.000Se espera el 02-11-2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6J507NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J507NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	701En existencias 69.000Se espera el 02-11-2026	Cinta cortada $934 $448 $395 $295 Envase tipo carrete $224 Ver $289 $222 $198 $194 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	1 Channel	30 V	10 A	20 mOhms	- 25 V, 20 V	1 V	13.6 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch SSM6J511NU,LF Toshiba 1: $809 1.535En existencias 21.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SSM6J511NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6J511NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch Obtenga más información sobre Toshiba u mosvii mosfets	Hoja de datos	1.535En existencias 21.000En pedido	Cinta cortada $809 $363 $320 $243 Envase tipo carrete $185 Ver $161 $155 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	P-Channel	1 Channel	12 V	14 A	6.5 mOhms	10 V	1 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement		U-MOSVII	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V SSM6K361NU,LF Toshiba 1: $957 114En existencias 348.000Se espera el 21-12-2026	N.º de artículo del Fabricante SSM6K361NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K361NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	114En existencias 348.000Se espera el 21-12-2026	Cinta cortada $957 $436 $384 $293 Envase tipo carrete $224 Ver $279 $215 $194 $186 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	N-Channel	1 Channel	100 V	3.5 A	51 mOhms	20 V	1.5 V	3.2 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement		U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SSM6K514NU,LF Toshiba 1: $1.116 4.877En existencias	N.º de artículo del Fabricante SSM6K514NU,LF N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K514NULF	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Toshiba u mosix h mosfets	Hoja de datos	4.877En existencias	Cinta cortada $1.116 $517 $456 $342 Envase tipo carrete $256 Ver $296 $203 $190 $186 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	UDFN-6	N-Channel	1 Channel	40 V	12 A	8.9 mOhms	20 V	1.4 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	1.25 W	Enhancement		U-MOSIX-H	Reel, Cut Tape, MouseReel

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