π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

Resultados: 21
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 10.128En existencias
Cinta cortada
$991
$455
$401
$306
Envase tipo carrete
$236
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 47.742En existencias
Cinta cortada
$524
$321
$232
$204
Envase tipo carrete
$113
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 143.048En existencias
Cinta cortada
$319
$142
$124
$91,1
Envase tipo carrete
$54,7
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000
Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
31.940En existencias
Cinta cortada
$456
$204
$178
$132
Envase tipo carrete
$93,4
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
6.859En existencias
Cinta cortada
$296
$130
$113
$83,2
Envase tipo carrete
$59,2
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
94En existencias
24.000Se espera el 06-11-2026
Cinta cortada
$285
$123
$107
$78,6
Envase tipo carrete
$57
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
39.287En existencias
Cinta cortada
$262
$112
$98
$71,8
Ver
Envase tipo carrete
$37,6
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000
Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
8.813En existencias
6.000Se espera el 06-11-2026
Cinta cortada
$273
$118
$104
$75,2
Envase tipo carrete
$53,5
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
1.665En existencias
30.000Se espera el 12-03-2027
Cinta cortada
$330
$146
$128
$93,4
Envase tipo carrete
$68,4
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 234En existencias
72.000Se espera el 06-11-2026
Cinta cortada
$251
$108
$93,4
$68,4
Envase tipo carrete
$35,3
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 616En existencias
Cinta cortada
$490
$214
$188
$140
Envase tipo carrete
$104
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V 4.700En existencias
Cinta cortada
$490
$214
$188
$140
Envase tipo carrete
$124
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-353-5 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.7 V + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
7.198En existencias
Cinta cortada
$422
$186
$162
$120
Envase tipo carrete
$84,3
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 20 Ohms, 44 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
13.113En existencias
Cinta cortada
$581
$257
$226
$169
Envase tipo carrete
$125
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 11 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
185En existencias
20.000En pedido
Cinta cortada
$592
$267
$234
$175
Envase tipo carrete
$126
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
14.998Se espera el 12-02-2027
Cinta cortada
$262
$112
$98
$71,8
Envase tipo carrete
$51,3
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 100 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
5.979Se espera el 26-10-2026
Cinta cortada
$478
$294
$277
$190
Envase tipo carrete
$145
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 460 mOhms, 460 mOhms 20 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
3.858Se espera el 11-12-2026
Cinta cortada
$513
$229
$201
$149
Envase tipo carrete
$106
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT SOT-553-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
12.000Se espera el 13-11-2026
Cinta cortada
$410
$252
$158
$117
Ver
Envase tipo carrete
$64,9
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 180 mA 20 Ohms, 20 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Cinta cortada
$490
$297
$188
$140
Envase tipo carrete
$104
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel No en existencias
Cinta cortada
$592
$404
$256
$162
Envase tipo carrete
$105
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000
Si SMD/SMT ES6-6 MOSVI Reel, Cut Tape