650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJ Power MOSFETs are ultra-fast diodes that extend the voltage class offering of the CFD7 family. The power MOSFETs have an additional 50V breakdown voltage, integrated fast body diode, improved switching performance, and excellent thermal behavior. These CFD7 power MOSFETs offer the highest efficiency in resonant switching topologies, such as LLC and phase-shift-full-bridge (ZVS). The MOSFETs blend all the advantages of a fast-switching technology with superior hard computation robustness. These power MOSFETs support CoolMOS™ CFD7 technology that meets reliability standards and supports high power density solutions.

Resultados: 14
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.045En existencias
Cinta cortada
$11.780
$6.562
$6.186
Envase tipo carrete
$5.844
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
126En existencias
$13.569
$9.251
$9.012
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
268En existencias
$10.459
$6.163
$5.195
$5.036
$4.739
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
300En existencias
$11.370
$7.770
$6.414
$5.742
$5.400
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Hoja de datos
675En existencias
Cinta cortada
$22.489
$14.218
$13.455
Envase tipo carrete
$13.455
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device
Hoja de datos
675En existencias
Cinta cortada
$12.316
$6.847
$6.517
$6.152
Envase tipo carrete
$6.152
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.118En existencias
Cinta cortada
$5.765
$3.771
$2.814
$2.358
Envase tipo carrete
$2.244
$2.062
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
798En existencias
Cinta cortada
$7.679
$4.079
$3.737
$3.486
Envase tipo carrete
$3.293
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
284En existencias
720En pedido
$12.452
$6.779
$6.277
$6.243
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
181En existencias
$17.157
$9.661
$9.490
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
41En existencias
500Se espera el 10-12-2026
$9.240
$4.990
$4.580
$4.204
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
40En existencias
$24.175
$16.975
$15.187
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
$17.135
$9.718
$9.034
$8.807
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
$8.738
$4.637
$4.261
$3.634
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube