Automotive Power MOSFETs

onsemi  Power MOSFETs feature low RDS(on) to minimize conduction losses and low Qg/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 8.802En existencias
Cinta cortada
$5.171
$2.657
$2.415
$2.075
$1.954
Envase tipo carrete
$1.954
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 1.447En existencias
Cinta cortada
$5.336
$3.151
$2.503
$2.185
$1.954
Envase tipo carrete
$1.954
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC 131En existencias
$41.206
$29.074
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 10.243En existencias
Cinta cortada
$5.567
$2.888
$2.613
$2.295
$2.097
Envase tipo carrete
$2.097
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC 67En existencias
$33.466
$30.391
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 749En existencias
Cinta cortada
$5.567
$2.888
$2.624
$2.295
$2.097
Envase tipo carrete
$2.097
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX
2.000Se espera el 03-11-2026
Cinta cortada
$11.924
$7.488
$6.258
Envase tipo carrete
$5.918
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 570 uOhms 20 V 4 V 185 nC - 55 C + 175 C 198.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE
1.835Se espera el 15-10-2026
Cinta cortada
$14.394
$9.409
$8.070
Envase tipo carrete
$7.411
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 150 V 187 A 4.4 mOhms 20 V 4.5 V 90.4 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC 288Existencias en fábrica disponibles
$30.391
Min.: 72
Mult.: 72
Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
$29.074
Min.: 72
Mult.: 72
Si Through Hole APMCA-16 N-Channel 4 Channel 650 V 26 A 82 mOhms 20 V 5 V 79.7 nC - 40 C + 125 C 126 W Enhancement Tube