Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL
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SO-8FL-4
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40 V
277 A
1 mOhms
20 V
2.2 V
100 nC
- 55 C
+ 175 C
146 W
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG
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SO-8FL-4
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APMCA-16
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650 V
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5 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG
NVMFS5C420NWFT1G
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SO-8FL-4
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268 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX
NVBLS0D5N04CTXG
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2.000 Se espera el 03-11-2026
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TO-LL8-8
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300 A
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20 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE
NVBLS4D0N15MC
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1.835 Se espera el 15-10-2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE
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SMD/SMT
TO-LL8-8
N-Channel
1 Channel
150 V
187 A
4.4 mOhms
20 V
4.5 V
90.4 nC
- 55 C
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
NXV65HR82DS1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
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APMCA-16
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650 V
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+ 125 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC
NXV65HR82DZ2
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Si
Through Hole
APMCA-16
N-Channel
4 Channel
650 V
26 A
82 mOhms
20 V
5 V
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- 40 C
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