Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.332 6.242En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLS3036TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLS3036TRLPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl	Hoja de datos	6.242En existencias	Cinta cortada $5.332 $2.746 $2.495 $2.017 Envase tipo carrete $2.017 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	270 A	2.4 mOhms	16 V	2.5 V	140 nC	- 55 C	+ 175 C	380 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies 1: $4.637 1.624En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFS3206TRRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS3206TRRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg	Hoja de datos	1.624En existencias	Cinta cortada $4.637 $2.643 $2.108 $1.538 Envase tipo carrete $1.538 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	210 A	2.4 mOhms	20 V	4 V	120 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg IRFS3006TRL7PP Infineon Technologies 1: $6.266 83En existencias 800Se espera el 25-02-2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFS3006TRL7PP N.º de artículo de Mouser 942-IRFS3006TRL7PP NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	83En existencias 800Se espera el 25-02-2027	Cinta cortada $6.266 $3.247 $2.928 $2.427 Envase tipo carrete $2.313 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	60 V	293 A	1.5 mOhms	20 V	1.8 V	200 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg IRFS3006TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.161 849En existencias 800En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFS3006TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS3006TRLPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg	Hoja de datos	849En existencias 800En pedido	Cinta cortada $5.161 $2.655 $2.324 $2.005 Envase tipo carrete $1.914 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263	N-Channel	1 Channel	60 V	270 A	2 mOhms	20 V	4 V	200 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl IRLB3036PBF Infineon Technologies 1: $4.136 2.993Se espera el 29-07-2027	N.º de artículo del Fabricante IRLB3036PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLB3036PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	2.993Se espera el 29-07-2027	$4.136 $2.085 $1.880 $1.777 $1.515	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	195 A	2.8 mOhms	16 V	1.8 V	140 nC	- 55 C	+ 175 C	380 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7 IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies 1: $6.255 1.450En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLS3036TRL7PP N.º de artículo de Mouser 942-IRLS3036TRL7PP NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7	Hoja de datos	1.450En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLS3036TRL7PP Existencias: 0 En pedido: 650 Se espera el 26-11-2026 800 Se espera el 03-12-2026 Plazo de entrega de fábrica: 3 Semanas	Cinta cortada $6.255 $3.258 $2.962 $2.700 Envase tipo carrete $2.404 $2.381 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-7	N-Channel	1 Channel	60 V	300 A	1.9 mOhms	16 V	2.5 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	380 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies 1: $3.703 778En existencias 800Se espera el 15-04-2027 NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFS3306TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS3306TRLPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg	Hoja de datos	778En existencias 800Se espera el 15-04-2027	Cinta cortada $3.703 $1.903 $1.618 $1.310 Envase tipo carrete $1.173 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	160 A	3.3 mOhms	20 V	4 V	85 nC	- 55 C	+ 175 C	230 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

Filtros aplicados:

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