Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V are optimized for low and high switching frequencies, enabling design flexibility. These devices offer high power efficiency for improved overall system performance while having excellent robustness. Increased current ratings allow for higher current-carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices, translating to lower BOM costs and board savings. Applications include switch-mode power supplies (SMPS), motor drives, battery-powered devices, battery management, uninterruptible power supplies (UPS), light electric vehicles, power tools, gardening tools, adapters, and consumer applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Id - Corriente de drenaje continua

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.882 777En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB023N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	777En existencias	Cinta cortada $2.882 $1.401 $1.196 $947 Envase tipo carrete $836 Ver $819 $807 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	119 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.019 8.801En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD020N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	8.801En existencias	Cinta cortada $3.019 $1.937 $1.322 $1.119 Envase tipo carrete $936 Ver $991 $889	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	143 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.768 2.818En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD023N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD023N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	2.818En existencias	Cinta cortada $2.768 $1.356 $1.208 $964 Envase tipo carrete $857 Ver $939 $825	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	137 A	2.35 mOhms	20 V	2.35 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB018N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.714 711En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB018N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB018N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	711En existencias	Cinta cortada $3.714 $1.857 $1.675 $1.287 Envase tipo carrete $1.230	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	125 A	1.8 mOhms	20 V	2.35 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK IPB020N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $3.680 774En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IPB020N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB020N03LF2SATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	774En existencias	Cinta cortada $3.680 $1.834 $1.652 $1.265 Envase tipo carrete $1.208	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	30 V	122 A	2.05 mOhms	20 V	2.35 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD030N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.541 3.415En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD030N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD030N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3.415En existencias	Cinta cortada $2.541 $1.230 $1.101 $876 Envase tipo carrete $763 Ver $844 $735	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	99 A	3.05 mOhms	20 V	2.35 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.130 3.693En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD040N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD040N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3.693En existencias	Cinta cortada $2.130 $1.016 $908 $717 Envase tipo carrete $615 Ver $692 $575	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	73 A	4.05 mOhms	20 V	2.35 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency IPD047N03LF2SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.948 3.718En existencias 4.000Se espera el 07-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPD047N03LF2SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD047N03LF2SATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon stongirfet 2 30v mosfets	Hoja de datos	3.718En existencias 4.000Se espera el 07-12-2026	Cinta cortada $1.948 $925 $825 $669 Envase tipo carrete $556 Ver $662 $509	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	TO-252-3	N-Channel	1 Channel	30 V	71 A	4.7 mOhms	20 V	2.35 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape

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