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NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 17321 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVBG070N120M3S

Fabricante N.º:

NVBG070N120M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Hoja de datos:

NVBG070N120M3S Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	25 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	87 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.4 V
Qg - Carga de puerta:	57 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	172 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	NVBG070N120M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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NVBG070N120M3S

Fabricante: onsemi

Descripción: MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

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