Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFETs are a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The CoolMOS™ PFD7 is an optimized platform tailored to target cost-sensitive applications in consumer markets, such as chargers, adapters, motor drives, lighting, etc. The series provides all the benefits of a fast-switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state-of-the-art ease-of-use level. The technology meets the highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers to go towards slim designs.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R600PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.459 4.655En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R600PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R600PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	4.655En existencias	Cinta cortada $2.459 $1.537 $1.012 $803 Envase tipo carrete $626 Ver $714 $652 $604	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	Thin-PAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	7 A	600 mOhms	20 V	4 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.964 3.183En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R210PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R210PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3.183En existencias	Cinta cortada $2.964 $1.460 $1.318 $1.051 $1.030 Envase tipo carrete $922 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	386 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	64 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.525 8.000En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA60R280P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R280P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8.000En existencias	$2.525 $1.241 $1.081 $860 Ver $794 $720 $693	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	24 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R360PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.580 4.500En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R360PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R360PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	4.500En existencias	Cinta cortada $2.580 $1.449 $1.109 $895 $874 Envase tipo carrete $720	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	360 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.340 8.862En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	8.862En existencias	Cinta cortada $1.340 $624 $553 $429 Envase tipo carrete $350 Ver $415 $345 $307	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $2.064 5.568En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R360PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R360PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	5.568En existencias	Cinta cortada $2.064 $982 $863 $676 Envase tipo carrete $549 Ver $641 $522 $516	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	360 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 40 C	+ 150 C	7 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.241 1.230En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K5PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K5PFD7SAT NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	1.230En existencias	Cinta cortada $1.241 $573 $507 $392 Envase tipo carrete $306 Ver $371 $292 $274	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	1.5 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	6 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.691 996En existencias 2.500Se espera el 15-10-2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K0PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K0PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	996En existencias 2.500Se espera el 15-10-2026	Cinta cortada $1.691 $829 $687 $540 Envase tipo carrete $385 Ver $478 $351 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4.7 A	1.978 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	26 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.361 961En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K5PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K5PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	961En existencias	Cinta cortada $1.361 $635 $615 $483 Envase tipo carrete $351 Ver $446 $314 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	3.6 A	2.9 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.317 946En existencias 500Se espera el 19-10-2026	N.º de artículo del Fabricante IPA60R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R360P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	946En existencias 500Se espera el 19-10-2026	$2.317 $1.219 $954 $731 Ver $643 $625 $594	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	300 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $4.051 39En existencias 1.000Se espera el 10-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPAN60R125PFD7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN60R125PFD7SX	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	39En existencias 1.000Se espera el 10-12-2026	$4.051 $2.042 $1.845 $1.493	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	25 A	235 mOhms	20 V	4 V	36 nC	- 40 C	+ 150 C	32 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $3.228 700En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN60R210PFD7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN60R210PFD7SX	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	700En existencias	$3.228 $1.592 $1.438 $1.153 Ver $1.109 $1.098 $1.033	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	600 V	16 A	386 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	25 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.229 159En existencias 5.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD60R360PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R360PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	159En existencias 5.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD60R360PFD7SAUMA1 Existencias: 159 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2.500 Se espera el 03-12-2026 2.500 Se espera el 18-03-2027 Plazo de entrega de fábrica: 23 Semanas	Cinta cortada $2.229 $1.186 $921 $693 Envase tipo carrete $569 $557 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	10 A	715 mOhms	20 V	4 V	12.7 nC	- 40 C	+ 150 C	43 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.680 3.766En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD60R600PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R600PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	3.766En existencias	Cinta cortada $1.680 $789 $703 $550 Envase tipo carrete $447 $419	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4.7 A	1.978 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 40 C	+ 150 C	26 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R2K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.186 2.635En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R2K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R2K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	2.635En existencias	Cinta cortada $1.186 $549 $485 $374 Envase tipo carrete $292 Ver $361 $283 $259	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3 A	2 Ohms	20 V	4 V	3.8 nC	- 40 C	+ 150 C	6 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.570 80.997Se espera el 23-09-2027	N.º de artículo del Fabricante IPN60R600PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R600PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	80.997Se espera el 23-09-2027	Cinta cortada $1.570 $733 $652 $508 Envase tipo carrete $403 Ver $500 $401 $376	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	650 V	6 A	600 mOhms	20 V	4.5 V	8.5 nC	- 40 C	+ 150 C	7 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $2.613 Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPD60R280PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R280PFD7SAU	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas	Cinta cortada $2.613 $1.274 $1.120 $895 $850 Envase tipo carrete $720	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	549 mOhms	20 V	4 V	15.3 nC	- 40 C	+ 150 C	51 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.119 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R1K0PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R1K0PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Cinta cortada $2.119 $1.329 $873 $693 Envase tipo carrete $540 Ver $616 $563 $528	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

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