Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 23

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 IPD65R225C7 Infineon Technologies 1: $3.228 1.318En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD65R225C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R225C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	1.318En existencias	Cinta cortada $3.228 $1.834 $1.537 $1.329 $1.285 Envase tipo carrete $1.230 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	225 mOhms	20 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: $2.229 1.431En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R900P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.431En existencias	$2.229 $998 $896 $751 Ver $664 $659	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor IPT60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies 1: $3.206 1.485En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R180CM8XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R180CM8XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos 8 sj mosfets	Hoja de datos	1.485En existencias	Cinta cortada $3.206 $1.757 $1.526 $1.285 $1.230 Envase tipo carrete $1.164 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	180 mOhms	20 V	4.7 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.257 1.271En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R099C7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099C7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	1.271En existencias	Cinta cortada $7.257 $3.854 $3.524 $3.272 Envase tipo carrete $3.085 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	99 mOhms	20 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 1: $7.795 916En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB65R095C7ATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R095C7ATMA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	916En existencias	Cinta cortada $7.795 $4.161 $3.810 $3.601 Envase tipo carrete $3.404 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	84 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	128 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies 1: $5.215 1.250En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB65R150CFDATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R150CFDATM2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1.250En existencias	Cinta cortada $5.215 $2.690 $2.437 $2.097 Envase tipo carrete $1.976	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	TO-263	N-Channel	1 Channel	650 V	22.4 A	351 mOhms	20 V	4 V	86 nC	- 55 C	+ 150 C	195.3 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R285P7AUMA1 Infineon Technologies 1: $3.404 3.752En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R285P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R285P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3.752En existencias	Cinta cortada $3.404 $1.691 $1.526 $1.230 $1.208 Envase tipo carrete $1.109	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	218 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	59 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.340 8.862En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	8.862En existencias	Cinta cortada $1.340 $624 $553 $429 Envase tipo carrete $350 Ver $415 $345 $307	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY IPW65R041CFDFKSA2 Infineon Technologies 1: $14.877 395En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R041CFDFKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R041CFDFKS2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	395En existencias	$14.877 $8.279 $7.971	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	68.5 A	41 mOhms	20 V	4 V	300 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS IPW65R075CFD7AXKSA1 Infineon Technologies 1: $10.134 1.029En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R075CFD7AXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R075CFD7AXK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies Infineon 650v coolmos cfd7a mosfets	Hoja de datos	1.029En existencias	$10.134 $5.424 $5.007 $4.996 $4.820	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	32 A	75 mOhms	20 V	4.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	AEC-Q101	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.073 335En existencias 500Se espera el 06-10-2026	N.º de artículo del Fabricante IPA65R190C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA65R190C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	335En existencias 500Se espera el 06-10-2026	$4.073 $2.240 $2.031 $1.647 Ver $1.625 $1.570	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	168 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies 1: $3.184 460En existencias 1.000Se espera el 19-10-2026	N.º de artículo del Fabricante IPP50R190CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP50R190CEXKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	460En existencias 1.000Se espera el 19-10-2026	$3.184 $1.570 $1.416 $1.098 $1.012	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	170 mOhms	20 V	2.5 V	47.2 nC	- 55 C	+ 150 C	152 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.361 961En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K5PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K5PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	961En existencias	Cinta cortada $1.361 $635 $615 $483 Envase tipo carrete $351 Ver $446 $314 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	3.6 A	2.9 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $1.845 969En existencias 500Se espera el 17-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPA60R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R600P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	969En existencias 500Se espera el 17-12-2026	$1.845 $875 $781 $613 Ver $569 $563 $557 $538 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	490 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 40 C	+ 150 C	21 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB60R360P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.789 1.520En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R360P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R360P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.520En existencias	Cinta cortada $2.789 $1.361 $1.208 $968 Envase tipo carrete $839 $780	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	305 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	41 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS IPBE65R230CFD7AATMA1 Infineon Technologies 1: $4.875 464En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPBE65R230CFD7AATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPBE65R230CFD7AA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies Infineon 650v coolmos cfd7a mosfets	Hoja de datos	464En existencias	Cinta cortada $4.875 $2.503 $2.262 $1.921 Envase tipo carrete $1.812 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	TO-263-7-11	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	439 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	AEC-Q101	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPL65R200CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $4.480 2En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPL65R200CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R200CFD7AUM NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW	Hoja de datos	2En existencias	Cinta cortada $4.480 $2.558 $2.042 $1.691 $1.625 Envase tipo carrete $1.482	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	650 V	14 A	200 mOhms	20 V	4.5 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	81 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $8.465 479En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPW65R095C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R095C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	479En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPW65R095C7XKSA1 Existencias: 0 En pedido: 240 Se espera el 08-10-2026 239 Se espera el 15-10-2026 Plazo de entrega de fábrica: 8 Semanas	$8.465 $4.447 $4.095 $3.799	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	84 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	128 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZ65R065C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $10.892 943En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPZ65R065C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZ65R065C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	943En pedido	$10.892 $6.698 $6.192 $5.786	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	58 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA60R280P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $3.063 880En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPA60R280P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R280P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	880En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPA60R280P7XKSA1 Existencias: 0 En pedido: 380 Se espera el 08-10-2026 500 Se espera el 03-12-2026 Plazo de entrega de fábrica: 21 Semanas	$3.063 $1.515 $1.361 $1.088 $991	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	24 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $2.679 1.000Se espera el 10-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPP60R360P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R360P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.000Se espera el 10-12-2026	$2.679 $1.361 $1.175 $943 Ver $866 $804	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	305 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	41 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 IPP65R225C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $3.898 286Se espera el 04-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IPP65R225C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R225C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	286Se espera el 04-02-2027	$3.898 $1.954 $1.713 $1.427 Ver $1.350 $1.329	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	199 mOhms	20 V	3 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.119 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R1K0PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R1K0PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Cinta cortada $2.119 $1.329 $873 $693 Envase tipo carrete $540 Ver $616 $563 $528	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement			Reel, Cut Tape