Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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CoolMOS™ Power Transistors

Infineon CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high-class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

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Resultados: 23

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: $2.313 1.411En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R900P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.411En existencias	$2.313 $1.037 $931 $779 Ver $723 $722 $662	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor IPT60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies 1: $3.327 1.485En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R180CM8XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R180CM8XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos 8 sj mosfets	Hoja de datos	1.485En existencias	Cinta cortada $3.327 $1.823 $1.584 $1.333 $1.276 Envase tipo carrete $1.208 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	180 mOhms	20 V	4.7 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R099C7ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.531 1.246En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R099C7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099C7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	1.246En existencias	Cinta cortada $7.531 $3.999 $3.657 $3.395 Envase tipo carrete $3.201 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	22 A	99 mOhms	20 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	110 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 1: $8.089 891En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB65R095C7ATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R095C7ATMA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	891En existencias	Cinta cortada $8.089 $4.318 $3.953 $3.737 Envase tipo carrete $3.486 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	84 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	128 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY IPB65R150CFDATMA2 Infineon Technologies 1: $5.412 1.000En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB65R150CFDATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R150CFDATM2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	1.000En existencias	Cinta cortada $5.412 $2.791 $2.529 $2.176 Envase tipo carrete $2.051	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	TO-263	N-Channel	1 Channel	650 V	22.4 A	351 mOhms	20 V	4 V	86 nC	- 55 C	+ 150 C	195.3 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 IPD65R225C7 Infineon Technologies 1: $3.896 1.302En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD65R225C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R225C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	1.302En existencias	Cinta cortada $3.896 $2.529 $1.743 $1.447 $1.344 Envase tipo carrete $1.265 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	225 mOhms	20 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R095C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $8.784 479En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R095C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R095C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	479En existencias	$8.784 $4.614 $4.249 $3.942	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	84 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	128 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R285P7AUMA1 Infineon Technologies 1: $3.532 3.752En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R285P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R285P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3.752En existencias	Cinta cortada $3.532 $1.754 $1.584 $1.276 $1.253 Envase tipo carrete $1.151	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	218 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 40 C	+ 150 C	59 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN60R1K0PFD7SATMA1 Infineon Technologies 1: $1.390 8.862En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN60R1K0PFD7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN60R1K0PFD7SAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	8.862En existencias	Cinta cortada $1.390 $647 $574 $445 Envase tipo carrete $363 Ver $431 $358 $319	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY IPW65R041CFDFKSA2 Infineon Technologies 1: $15.437 395En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R041CFDFKSA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R041CFDFKS2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonCoolMOS	Hoja de datos	395En existencias	$15.437 $8.453 $8.157	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	68.5 A	41 mOhms	20 V	4 V	300 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS IPW65R075CFD7AXKSA1 Infineon Technologies 1: $10.516 1.019En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R075CFD7AXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R075CFD7AXK	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies Infineon 650v coolmos cfd7a mosfets	Hoja de datos	1.019En existencias	$10.516 $5.628 $5.195 $5.184 $5.001	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	32 A	75 mOhms	20 V	4.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	AEC-Q101	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.227 815En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA65R190C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA65R190C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	815En existencias	$4.227 $2.324 $2.108 $1.709 Ver $1.686 $1.629	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	168 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 IPP50R190CEXKSA1 Infineon Technologies 1: $3.304 1.460En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP50R190CEXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP50R190CEXKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos ce	Hoja de datos	1.460En existencias	$3.304 $1.629 $1.470 $1.185 Ver $1.086 $1.050	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	24.8 A	170 mOhms	20 V	2.5 V	47.2 nC	- 55 C	+ 150 C	152 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies 1: $1.413 941En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPD60R1K5PFD7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD60R1K5PFD7SAU NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER	Hoja de datos	941En existencias	Cinta cortada $1.413 $659 $638 $501 Envase tipo carrete $365 Ver $463 $326 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	TO-252-3-11	N-Channel	1 Channel	600 V	3.6 A	2.9 Ohms	20 V	4 V	4.6 nC	- 40 C	+ 150 C	22 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA60R280P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $3.258 380En existencias 500Se espera el 17-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPA60R280P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R280P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	380En existencias 500Se espera el 17-12-2026	$3.258 $1.663 $1.447 $1.162 Ver $1.139 $1.029	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	214 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	24 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA60R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: $1.914 967En existencias 500Se espera el 31-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPA60R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA60R600P7SXKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	967En existencias 500Se espera el 31-12-2026	$1.914 $908 $810 $636 Ver $590 $584 $578 $573	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	6 A	490 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 40 C	+ 150 C	21 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPB60R360P7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.723 1.340En existencias 1.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPB60R360P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R360P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.340En existencias 1.000En pedido	Cinta cortada $2.723 $1.333 $1.196 $1.005 Envase tipo carrete $889	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	305 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	41 W	Enhancement		CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS IPBE65R230CFD7AATMA1 Infineon Technologies 1: $5.058 460En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPBE65R230CFD7AATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPBE65R230CFD7AA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies Infineon 650v coolmos cfd7a mosfets	Hoja de datos	460En existencias	Cinta cortada $5.058 $2.598 $2.347 $1.994 Envase tipo carrete $1.880 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	TO-263-7-11	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	439 mOhms	20 V	4 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	AEC-Q101	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPL65R200CFD7AUMA1 Infineon Technologies 1: $4.648 2En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPL65R200CFD7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R200CFD7AUM NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW	Hoja de datos	2En existencias	Cinta cortada $4.648 $2.655 $2.119 $1.754 $1.686 Envase tipo carrete $1.538	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	650 V	14 A	200 mOhms	20 V	4.5 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	81 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZ65R065C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $11.302 913En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPZ65R065C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZ65R065C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	913En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPZ65R065C7XKSA1 Existencias: 0 En pedido: 433 Se espera el 12-11-2026 480 Se espera el 19-11-2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	$11.302 $6.950 $6.426 $6.004	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	58 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPP60R360P7XKSA1 Infineon Technologies 1: $2.780 1.000Se espera el 10-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPP60R360P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R360P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1.000Se espera el 10-12-2026	$2.780 $1.413 $1.265 $1.004 Ver $966 $917 $834	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9 A	305 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	41 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 IPP65R225C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.158 286Se espera el 25-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IPP65R225C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R225C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	286Se espera el 25-02-2027	$4.158 $2.017 $1.766 $1.413 $1.379	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	199 mOhms	20 V	3 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement		CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.199 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPLK60R1K0PFD7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPLK60R1K0PFD7AT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj pfd7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Cinta cortada $2.199 $1.379 $906 $719 Envase tipo carrete $561 Ver $639 $584 $548	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	ThinPAK-5	N-Channel	1 Channel	650 V	5.2 A	1 Ohms	20 V	4 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	31.3 W	Enhancement			Reel, Cut Tape